YZPST-RGN700C29D8

Parâmetro

Valor

Unidade

VDS, máx.

700

V

RDS(on), máx. @ VGS = 6 V

80

mΩ

QG, típico @ VDS = 400 V

6.2

nC

ID, pulso

58

A

QOSS @ VDS = 400 V

60

nC

Qrr @ VDS = 400 V

0

nC

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Tensão dreno-fonte

VDS, máx.

700

V

VGS = 0 V,

Tj = -55 °C a 150 °C

Tensão transitória dreno-fonte 1

VDS, transitório

800

V

VGS = 0 V

Tensão dreno-fonte, pulsada 2

VDS, pulso

750

V

Tj = 25 °C; tempo total < 10 h

Tj = 125 °C; tempo total < 1 h

Corrente contínua, dreno-fonte

ID

29

A

Tc = 25 °C

Corrente pulsada, dreno-fonte 3

ID, pulso

58

A

Tc = 25 °C; VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Corrente pulsada, dreno-fonte 3

ID, pulso

29

A

Tc = 125 °C; VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Tensão gate-fonte, contínua

VGS

-6 a +7

V

Tj = -55 °C a 150 °C

Tensão gate-fonte, pulsada

VGS, pulso

-20 a +10

V

Tj = -55 °C a 150 °C;

tPULSE = 50 ns, f = 100 kHz; dreno aberto

Dissipação de potência

Ptot

188

W

Tc = 25 °C

Temperatura de operação

Tj

-55 a +150

°C

Temperatura de armazenamento

Tstg

-55 a +150

°C

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Resistência térmica, junção-ambiente

RthJA

33.6

°C/W

Resistência térmica, junção-cápsula

RthJC

0.52

°C/W

Temperatura máxima de soldagem por refusão

Tsold

260

°C

MSL3

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín..

Típ..

Máx..

Tensão de limiar da porta

VGS(th)

1.2

1.7

2.5

V

ID = 30.7 mA; VDS = VGS; Tj = 25 °C

-

1.6

-

ID = 30.7 mA; VDS = VGS; Tj = 150 °C

Corrente de fuga dreno-fonte

IDSS

-

5

65

µA

VDS = 700 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C

-

13

390

VDS = 700 V; VGS = 0 V; Tj = 150 °C

Corrente de fuga gate-fonte

IGSS

-

163

-

µA

VGS = 6 V; VDS = 0 V

Resistência no estado ligado dreno-fonte

RDS(on)

-

60

80

mΩ

VGS = 6 V; ID = 8 A; Tj = 25 °C

-

135

-

mΩ

VGS = 6 V; ID = 8 A; Tj = 150 °C

Resistência de gate

RG

-

3

-

Ω

f = 5 MHz; dreno aberto

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín..

Típ..

Máx..

Capacitância de entrada

Ciss

-

225

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância de saída

Coss

-

70

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância de transferência reversa

Crss

-

0.5

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância efetiva de saída, relacionada à energia 1

Co(er)

-

105

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Capacitância efetiva de saída, relacionada ao tempo 2

Co(tr)

-

150

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Carga de saída

QOSS

-

60

-

nC

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Tempo de atraso na ativação

td(on)

-

3

-

ns

VDS = 400 V; ID = 16 A; L = 318 µH; VGS = 6 V; Ron = 10 Ω; Roff = 2 Ω;

Veja a Figura 22

Tempo de atraso no desligamento

td(off)

-

5

-

ns

Tempo de subida

tr

-

4

-

ns

Tempo de descida

tf

-

4

-

ns

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín..

Típ..

Máx..

Carga de gate

QG

-

6.2

-

nC

VGS = 0 a 6 V; VDS = 400 V; ID = 8 A

Carga gate-source

QGS

-

0.5

-

nC

Carga gate-drain

QGD

-

2.2

-

nC

Tensão do patamar de gate

VPlat

-

2.2

-

V

VDS = 400 V; ID = 8 A

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín..

Típ..

Máx..

Tensão reversa dreno-fonte

VSD

-

2.3

-

V

VGS = 0 V; IS = 8 A

Corrente pulsada, reversa

IS,pulse

-

-

58

A

VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Carga de recuperação reversa

Qrr

-

0

-

nC

IS = 8 A; VDS = 400 V

Tempo de recuperação reversa

trr

-

0

-

ns

Corrente de pico de recuperação reversa

Irrm

-

0

-

A