YZPST-RGN65C035
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-RGN65C035
FET Super-GaN de 650 V em TO-247
Características
● Fácil de acionar — compatível com drivers de gate padrão
● Baixas perdas de condução e comutação
● Qrr baixo de 175 nC — não requer diodo de roda livre
● A disposição dos pinos GSD melhora o projeto de alta velocidade
● Tecnologia GaN qualificada pela JEDEC
● Em conformidade com RoHS e livre de halogênio
Benefícios
● Maior eficiência por meio de comutação rápida
● Maior densidade de potência
● Redução do tamanho e do peso do sistema
● Permite topologias mais eficientes — fácil implementação de projetos totem-pole sem ponte
● Menor custo de BOM
Aplicações
● Energia renovável
● Industrial
● Automotivo
● Telecom e datacom
● Servomotores
Especificações principais | |
VDS (V) mín. | 650 |
VTDS (V) máx. | 800 |
RDS(on) (mΩ) máx. | 41 |
Qrr (nC) típ. | 175 |
Qg (nC) típ. | 28 |
Classificações máximas absolutas (TC = 25 °C, salvo indicação em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Valor limite | Unidade |
ID25°C | Corrente contínua de dreno @TC=25 °C a | 50 | A |
ID100°C | Corrente contínua de dreno @TC=100 °C a | 31.5 | A |
IDM | Corrente de dreno pulsada (largura do pulso: 10 µs) | 240 | A |
VDSS | Tensão dreno-fonte | 650 | V |
VTDS | Tensão transitória dreno-fonte b | 800 | V |
VGSS | Tensão gate-fonte | ±18 | V |
PD25 °C | Dissipação máxima de potência | 178 | W |
TJ | Temperatura de junção em operação | -55 a +150 | °C |
TS | Temperatura de armazenamento | -55 a +150 | °C |
TCSOLD | Temperatura de pico de soldagem c | 260 | °C |
Resistência térmica
Símbolo | Parâmetro | Típico | Unidade |
RΘJC | junção-para-carcaça | 0.7 | °C/W |
RΘJA | Junção para ambiente | 40 | °C/W |
Circuitos e formas de onda de teste
Mecânico
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
