YZPST-RGN040C024

Pino

Descrição dos pinos

Função dos pinos

1, 2, 24, 25

Gate

Gate do driver

3-7, 9, 11-20, 22

Fonte

Fonte

8, 10, 21, 23

dreno

Dreno de potência

Parâmetro

Valor

Unidade

VDS, máx.

40

V

RDS(on), máx. @ VGS = 5 V

4.3

mΩ

QG, típico @ VDS = 20 V

6.2

nC

IDS, pulso

160

A

QOSS @ VDS = 20 V

14

nC

SÍMBOLO

PARÂMETRO

MAX

UNIDADE

VDS

Tensão dreno-fonte (contínua)

40

V

ID

Corrente contínua

24

A

Pulsado (25 °C, TPulse = 300 µs)

160

A

VGS

Tensão gate-fonte

6

V

Tensão gate-fonte

-4

V

Ptot

Dissipação de potência (Tc, parte inferior = 25 °C)

43

W

TJ

Temperatura de operação

-40 a 150

˚C

TSTG

Temperatura de armazenamento

-40 a 150

˚C

SÍMBOLO

PARÂMETRO

TÍP.

UNIDADE

Nota/Condição de teste

RθJC_top

Resistência térmica, junção para encapsulamento (superior)

26.2

°C/W

RθJC_bot

Resistência térmica, junção para encapsulamento (inferior)

2.9

°C/W

RθJA

Resistência térmica, junção para ambiente 1

45.9

°C/W

Tsold

Temperatura máxima de soldagem por refusão

260

°C

MSL3

SÍMBOLO

PARÂMETRO

MÍN

TÍP.

MAX

UNIDADE

CONDIÇÕES DE TESTE

BVDSS

Tensão dreno-fonte

40

V

VGS = 0 V, ID = 500 µA

IDSS

Fuga dreno-fonte

100

µA

VGS = 0 V, VDS = 32 V

IGSS

Corrente de fuga direta gate-source

3

80

µA

VGS = 5 V

Corrente de fuga direta gate-source

50

500

µA

VGS = 5 V, Tj = 125 °C

Corrente de fuga reversa porta-fonte

1

20

µA

VGS = -4 V

VGS(TH)

Tensão de limiar da porta

0.7

2.4

V

VDS = VGS, ID = 7 mA

RDS(on)

Resistência em condução dreno-fonte

3

4.3

mΩ

VGS = 5 V, ID = 15 A

VSD

Tensão direta fonte-dreno

1.9

V

IS = 0,5 A, VGS = 0 V

SÍMBOLO

PARÂMETRO

MÍN

TÍP.

MAX

UNIDADE

CONDIÇÕES DE TESTE

Ciss

Capacitância de entrada

805

pF

VGS = 0 V, VDS = 20 V

Coss

Capacitância de saída

428

Crss

Capacitância de transferência reversa

13

Coss(er)

Coss relacionado à energia

600

VGS = 5 V, VDS = 20 V, ID = 15 A

Coss(tr)

Coss relacionado ao tempo

703

RG

Resistência de gate

1.7

Ω

f = 1 MHz

QG

Carga total de gate

6.2

8.5

nC

VGS = 5 V, VDS = 20 V, ID = 15 A

QGS

Carga porta-fonte

1.4

VDS = 20 V, ID = 15 A

QGD

Carga porta-dreno

0.8

QG(TH)

Carga de gate no limiar

0.9

QOSS

Carga de saída

14

VGS = 0 V, VDS = 0 V a 20 V