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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-BTW69-1200
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Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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SCRs YZPST-BTW69-1200
Alta densidade de corrente devido à tecnologia de mesa dupla.
série de retificadores controlados por silício TO-P3 (isolados)
são especialmente projetados para aplicações de comutação de alta potência e controle de fase.
a série é adequada para aplicações de uso geral, quando é necessária alta sensibilidade de gate.
fornece tensão de isolamento de 2500 V RMS entre todos os três terminais e o dissipador de calor externo.
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
| Símbolo | Valor | Unidade |
| IT(RMS) | 50 | A |
| IGT | ≤80 | mA |
| VTM | ≤1.8 | V |
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
| Faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40 a +150 | ℃ | |
| Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40 a +125 | ℃ | |
| Tensão de pico repetitiva em bloqueio Tj=25℃ Tensão de pico reversa repetitiva Tj=25℃ | VDRM VRRM | V | ||
| BTW69-1200 | 1200 | |||
| Corrente eficaz em condução (todos os ângulos de condução) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(RMS) | 50 | A |
| Corrente média em condução (meia onda senoidal) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(AV) | 40 | A |
| Corrente de pico de surto não repetitiva em condução (ciclo senoidal de meia onda, Tj=25℃) | f=50 Hz t=10ms | ITSM | 520 | A |
| f=60 Hz t=8,3ms | 540 | |||
| Valor de I²t para fusíveis | tp=10ms | I²t | 1350 | A²s |
| Taxa repetitiva de subida da corrente em condução após o disparo ITM=20A IG=50mA dlc/dt 50mA/ms | dI/dt | 150 | Aμs | |
| Corrente de gate de pico tp=20us,Tj=125℃ | IGM | 1.5 | A | |
| Potência de gate de pico tp=20us,Tj=125℃ | PGM | 10 | W | |
| Dissipação média de potência de gate Tj=125℃ | PG(AV) | 2 | W | |
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