YZPST-G300HF120TK-G3

Símbolo

Parâmetro

Condições de teste

Valores

Unidade

IGBT

VCES

Tensão coletor-emissor

TVj=25°C

1250

V

VGES

Tensão gate-emissor

±30

V

IC

Corrente contínua de coletor

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

ICM

Corrente de pico de coletor repetitiva

tp=1 ms

600

A

Ptot

Dissipação de potência por IGBT

3000

W

Diodo

VRRM

Tensão reversa repetitiva

TVj=25°C

1250

V

IF(AV)

Corrente média direta

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

IFRM

Corrente de pico direta repetitiva

tp=1 ms

600

A

I2t

TVj =125°C, t=10 ms, VR=0 V

19000

A2s

Símbolo

Parâmetro

Condições de teste

Mín.

Tip.

Máx.

Unidade

IGBT

VGE(th)

Tensão de limiar gate-emissor

VCE=VGE, IC=2,0 mA

5.0

6.8

V

VCE(sat)

Coletor-emissor

IC=300 A, VGE=15 V, TVj=25°C

2.2

2.6

V

Tensão de saturação

IC=300 A, VGE=15 V, TVj=125°C

2.4

V

ICES

Corrente de fuga do coletor

VCE=1250 V, VGE=0 V, TVj=25°C

1

mA

VCE=1250 V, VGE=0 V, TVj=125°C

5

mA

Rgint

Resistor de gate integrado

Por chave

10

Ω

IGES

Corrente de fuga do gate

VCE=0V,VGE±15V, TVj=125°C

-500

500

nA

Cies

Capacitância de entrada

VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz

21

nF

Cres

Capacitância de transferência reversa

1.5

nF

td(on)

Tempo de atraso na ativação

VCC=600V,IC=300A,

TVj =25°C

90

ns

RG =4.7Ω,

TVj =125°C

110

ns

tr

Tempo de subida

VGE=±15V,

TVj =25°C

55

ns

Carga indutiva

TVj =125°C

60

ns

td(off)

Tempo de atraso no desligamento

VCC=600V,IC=300A,

TVj =25°C

460

ns

RG =4.7Ω,

TVj =125°C

500

ns

tf

Tempo de queda

VGE=±15V,

TVj =25°C

55

ns

Carga indutiva

TVj =125°C

60

ns

Eon

Energia de ativação

VCC=600V,IC=300A,

TVj =25°C

28

mJ

RG =4.7Ω,

TVj =125°C

12

mJ

Eoff

Energia de desligamento

VGE=±15V,

TVj =25°C

25

mJ

Carga indutiva

TVj =125°C

13

mJ

ISC

Corrente de curto-circuito

1300

A

RthJC

Resistência térmica junção-caixa (por IGBT)

0.13

K /W

Diodo

VF

Tensão direta

IF=300A , VGE=0V, TVj =25°C

2

2.4

V

IF=300A, VGE=0V, TVj =125°C

2.2

V

Qrr

Carga reversa

IF=300A, VR=600V

50

uC

IRRM

Corrente máxima de recuperação reversa

diF/dt=-2400A/μs

170

A

Erec

Energia de recuperação reversa

TVj =125°C

20

mJ

RthJCD

Resistência térmica junção-encapsulamento

(por diodo)

0.12

K /W

Símbolo

Parâmetro

Condições de teste

Mín.

Tip.

Máx.

Unidade

TVj máx.

Temperatura máxima de junção

175

°C

TVj op

Temperatura de operação

-40

150

°C

Tstg

Temperatura de armazenamento

-40

125

°C

Visol

Tensão de teste de isolamento

CA, t=1 min

3000

V

Torque

Para dissipador

Recomendado（M6）

1.1

2

N·m

Torque

N·m

Peso

328

g