YZPST-S4A010120A
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-S4A010120Um díodo Schottky de SiC
Silício carboneto Schottky Diodo
Características
Corrente de recuperação reversa zero
Tensão de recuperação direta zero
Coeficiente de temperatura positivo em VF
Comutação independente da temperatura
Temperatura de junção de operação de 175°C
Benefícios
Substitui dispositivo bipolar por unipolar
Redução do tamanho do dissipador de calor
Dispositivos em paralelo sem fuga térmica
Praticamente sem perdas de comutação
Aplic.Especificações
Fontes de alimentação comutadas
Correção do fator de potência
Acionamento de motor, inversor fotovoltaico, usina eólica
Máx.ínimo Máximos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VRRM | Tensão inversa de pico repetitiva | 1200 | V | TC = 25°C | |
| VRSM | Tensão inversa de pico de surto | 1200 | V | TC = 25°C | |
| VR | Tensão de bloqueio em CC | 1200 | V | TC = 25°C | |
| 30 | TC ≤ 25C | ||||
| IF | Corrente direta | 14 | A | TC ≤ 135C | |
| 10 | TC ≤ 150C | ||||
| IFSM | Corrente de surto direta não repetitiva | 95 | A | TC = 25C, tp = 8,3 ms, meia onda senoidal | |
| Ptot | Dissipação de potência | 150 | W | TC = 25°C | Fig. 3 |
| TC | Temperatura máxima da caixa | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Temperatura de junção em operação e de armazenamento | -55 a 175 | C | ||
| Torque de montagem do TO-220 | 1 | Nm | Parafuso M3 |
Características elétricas Características
| Símbolo | Parâmetro | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VF | Tensão direta | 1.55 | 1.8 | V | IF = 10A, TJ = 25C | Fig. 1 |
| 2.2 | 2.5 | IF = 10A, TJ = 175C | ||||
| Corrente reversa | 2 | 20 | µA | VR = 1200V, TJ = 25C | Fig. 2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200V, TJ = 175C | |||
| 650 | VR = 0V, TJ = 25C, f = 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f = 1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f = 1MHz | |||||
| C | Capacitância total | 49 | / | pF | Fig. 5 | |
| 40 | ||||||
| Carga capacitiva total | / | nC | VR = 800V, IF = 10A | Fig. 4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200A/µs, TJ = 25C |
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