YZPST-M1A025120L
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-M1A025120L
N-Canal SiC Potência MOSFET
Características
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
Fácil de ligar em paralelo e simples de acionar
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Menores requisitos de refrigeração
Maior densidade de potência
Maior frequência de comutação do sistema
Aplicações
Fontes de alimentação
Conversores CC/CC de alta tensão
Acionamentos de motor
Fontes de alimentação comutadas
Aplicações de potência pulsada
Valores máximos nominais (TC=25℃, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VDSmáx | Tensão dreno-fonte | 1200 | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGSmáx | Tensão gate-fonte | -0.4 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Tensão gate-fonte | -0.25 | V | Valores operacionais recomendados | |
| ID | Corrente contínua de dreno | 65 | A | VGS=20V, Tc=25C | |
| 43 | VGS=20V, Tc=100C | ||||
| ID(pulse) | Corrente de dreno pulsada | 200 | A | Largura de pulso limitada por TJmáx | |
| PD | Dissipação de potência | 370 | W | Tc=25C, TJ=150C | |
| TJ, TSTG | Junção e armazenamento em operação | -55 a +150 | C | ||
| Temperatura |
Características elétricas (TC=25C, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| V(BR)DSS | Tensão de ruptura dreno-fonte | 1200 | / | / | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensão limiar da gate | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS, ID=15mA | Fig. 11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS, ID=15mA, TJ=150C | ||||
| IDSS | Corrente de dreno com tensão de gate zero | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Corrente de fuga gate-fonte | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=25V | |
| IGSS- | Corrente de fuga gate-fonte | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-10V | |
| RDS(on) | Resistência dreno-fonte em condução | / | 25 | 34 | mΩ | VGS=20V, ID=50A | Fig. |
| / | 43 | / | VGS=20V, ID=50A, TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | Capacitância de entrada | / | 4200 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | Capacitância de saída | / | 250 | / | pF | VDS=1000V | 15,16 |
| Crss | Capacitância de transferência reversa | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energia armazenada em Coss | / | 126 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Energia de comutação na ligação | / | 1.8 | / | J | VDS=800V, VGS=-5V/20V ID=50A, RG(ext)=2.5Ω, L=412μH | |
| EOFF | Energia de comutação no desligamento | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | Tempo de atraso na ativação | / | 15 | / | |||
| tr | Tempo de subida | / | 12 | / | ns | VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=50A RG(ext)=2.5Ω, RL=16Ω | |
| td(off) | Tempo de atraso no desligamento | / | 34 | / | |||
| tf | Tempo de descida | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Resistência interna da gate | / | 2.1 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| GS | Carga gate-fonte | / | 54 | / | VDS=800V | ||
| GD | Carga gate-dreno | / | 29 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| G | Carga total da gate | / | 195 | / | ID=50A |
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