YZPST-SP50N80FX
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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MOSFET de potência de canal N de 800 V
YZPST-SP50N80FX
CARACTERÍSTICAS
Comutação rápida
100% testado contra avalanche
Capacidade dv/dt aprimorada
APLICAÇÕES
Fonte de alimentação comutada (SMPS)
Fonte de alimentação ininterrupta (UPS)
Correção do fator de potência (PFC)
Informações de marcação, pedido e embalagem do dispositivo | |||
Número de pedido |
Encapsulamento |
Marcação |
Embalagem |
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tubo |
Valores máximos absolutosTC= 25ºC, salvo indicação em contrário | |||
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão dreno-fonte (VGS= 0V) | VDSS | 800 | V |
Corrente de dreno contínua | ID | 50 | A |
Em pulsos dreno Corrente (nota 1) | IDM | 200 | A |
Tensão gate-fonte | VGSS | ±30 | V |
Pulso único Avalanche Energia (nota2) | EAS | 4500 | mJ |
Repetitivo Avalanche Energia (nota 1) | EAR | 60 | mJ |
Dissipação de potência (TC= 25ºC) | PD | 690 | W |
Faixa de temperatura de junção em operação e armazenamento | TJ, Tstg | -55~+150 | ºC |
Atenção:Esforços maiores do que os indicados em “Classificações Máximas Absolutas” podem causar danos permanentes aodispositivo. | |||
Resistência térmica | |||||||||
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||||||
Resistência térmica, junção-ao-invólucro | RthJC |
0.18 |
ºC/W | ||||||
Resistência térmica, junção-ao-ambiente | RthJA | 40 | |||||||
EspecificaçõesTJ= 25ºC, salvo indicação em contrário | ||||||
Parâmetro |
Símbolo |
Condições de teste | Valor |
Unidade | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
Estático | ||||||
Tensão de ruptura dreno-fonte | V(BR)DSS | VGS= 0V, ID= 250µA | 800 | -- | -- | V |
Corrente de dreno com tensão de gate zero | IDSS | VDS=800, VGS= 0V, TJ= 25ºC | -- | -- | 1.0 | μA |
Fuga entre gate e fonte | IGSS | VGS = ±30V | -- | -- | ±100 | nA |
Tensão de limiar gate-source | VGS(th) | IDS= 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
Resistência ligado-state drain-source (Nota3) | RDS(on) | VGS= 10V, ID= 25A | -- | 120 | 130 | mΩ |
Dinâmico | ||||||
Capacitância de entrada | Ciss |
VGS= 0V, VDS= 25V, f = 1.0MHz | -- | 14600 | -- |
pF |
Capacitância de saída | Coss | -- | 1300 | -- | ||
Capacitância de transferência reversa | Crss | -- | 66 | -- | ||
Carga total de gate | Qg |
VDD=400V, ID=50A, VGS10V | -- | 360 | -- |
nC |
Carga gate-fonte | Qgs | -- | 80 | -- | ||
Carga gate-dreno | Qgd | -- | 120 | -- | ||
Tempo de atraso de ligar | td(on) |
VDD400V, ID50A, RG10 Ω | -- | 110 | -- |
ns |
Tempo de subida na ligação | tr | -- | 200 | -- | ||
Tempo de atraso no desligamento | td(off) | -- | 160 | -- | ||
Tempo de queda no desligamento | tf | -- | 185 | -- | ||
Características do diodo de corpo dreno-fonte | ||||||
Corrente contínua do diodo de corpo | IS |
TC25 ºC | -- | -- | 50 |
A |
Corrente direta pulsada do diodo | ISM | -- | -- | 400 | ||
Tensão do diodo de corpo | VSD | TJ25 ºC, ISD25A, VGS0V | -- | -- | 1.4 | V |
Tempo de recuperação reversa | trr | VGS0V,IS50A, diF/dt =100A /μs | -- | 520 | -- | ns |
Carga de recuperação reversa | Qrr | -- | 5.0 | -- | μC | |
Notas
1. Classificação repetitiva: largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção
2. VDD= 50V, RG25 Ω, T inicialJ25 ºC
Teste de pulso: largura de pulso ≤ 300μs, ciclo de trabalho ≤ 1%
Para mais informações sobreYZPST-SP50N80FXpor favor, faça o download do arquivo PDF acima com o nome "YZPST-SP50N80FX"
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