YZPST-25TTS12FP

Símbolo

Valor

Unidade

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

1200

V

IGT

10-20

mA

Símbolo

PARÂMETRO

Valor

Unidade

IT(RMS)

corrente eficaz em condução no estado ligado (todos os ângulos de condução)

TO-220AB

Tc=90℃

25

A

ITSM

corrente de pico de surto não repetitiva em estado ligado (meia senoide, Tj=25℃)

F=50HZ tp=10ms

250

A

I²t

valor de I²t para fusão

tp=10ms

312

A2 S

di/dt

taxa repetitiva de subida da corrente em estado ligado

corrente após o disparo

F=120HZ,Tj=125℃

100

A/μs

VDRM

VRRM

tensão de pico repetitiva em estado bloqueado

Tensão reversa de pico repetitiva

Tj=25℃

1200

V

IGM

corrente de pico do gate, tp=20us,

Tj=125℃

4

A

PG(AV)

Dissipação média de potência da gate

Tj=125℃

1

W

Tstg

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

-40 a +150

℃

Tj

Faixa de temperatura de junção de operação

-40 a +125

℃

Símbolo

Condição de teste

Quadrante

Valor

Unidade

IGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MAX

25

mA

VGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MAX

1.2

V

VGD

VD=VDRM RL=3.5KΩ Tj=125℃

MÍN

0.2

V

IH

IT=100mA, IG=50mA

MAX

50

mA

IL

IG=1.2IGT

Ⅰ

MAX

80

mA

dv/dt

VD=67% VDRM gate open(Tj=125℃)

MÍN

1000

V/μs

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

VTM

IT=50A, IG=50mA, T=25°C

MAX

1.50

V

IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=25℃

MAX

5

μA

IDRM/IRRM em alta temperatura

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=125℃

MAX

1

mA

Rth(j-c)

junção à carcaça (CC), TO-220A

MAX

0.9

℃/W