MOSFET de potência de canal N 65R72GF como substituto do STW48N60M2

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MOSFET de potência de canal N

Tipo: YZPST-65R72GF

RESUMO DO PRODUTO
Vds (V) a Tj máx.	700
Rds(on))máx. a 25°C (mΩ)	Vgs=10V 72
Qg máx. (nC)	130
Qgs (nC)	30
Qgd (nC)	34
Configuração	simples

Características
MOSFET com diodo de corpo rápido
|D=47A(Vgs=10V)
Carga de gate ultrabaixa
Capacidade dv/dt aprimorada
Em conformidade com RoHS
YZPST-65R72GF MOSFET de potência

Aplicações

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Fontes de alimentação para servidores e telecomunicações
Soldagem e carregadores de bateria
Solar (inversores fotovoltaicos)
Circuitos de ponte AC/DC

INFORMAÇÕES PARA PEDIDO
Dispositivo	YZPST-65R72GF
Encapsulamento do dispositivo	TO-247
Marcação	65R72GF

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Tc=25o°C, salvo indicação em contrário)
Parâmetro	Símbolo	Limite	Unidade
Tensão dreno-fonte	Vdss	650	V
Corrente contínua de dreno (@Tc=25°C)	Id	47⑴	A
Corrente contínua de dreno (@Tc=100°C)	Id	29⑴	A
Corrente de dreno pulsada(2)	Idm	138⑴	A
Tensão gate-fonte	Vgs	±30	V
Energia de avalanche em pulso único(3)	Eas	1500	mJ
Robustez do MOSFET a dv/dt (@VDS=0~400V)	dv/dt	25	V/ns
dv/dt de recuperação de pico do díodo ⑷	dv/dt	15	V/ns
Dissipação total de potência (@Tc=25°C)	Pd	417	W
Fator de redução acima de 25°C	Pd	3.34	W/°C
Temperatura de junção em operação e temperatura de armazenamento	Tstg, Tj	-55 a +150	°C
Temperatura máxima dos terminais para soldagem	Tl	260	°C