YZPST-IKW40N65H3（YZPST-RG40N065FT)

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão de ruptura coletor-emissortensão de ruptura

VCE

650

V

Corrente contínua de coletor,limitada por Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IC

80

40

A

Corrente direta do diodo, limitada por Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IF

80

40

A

Tensão contínua gate-emissortensão r

VGE

±20

V

Tensão transitória gate-emissortensão

VGE

±30

V

Desligamento área de operação segura VCE ≤650V, Tj ≤ 175°C, tp = 1μs

-

120

A

Corrente de coletor de pulso, VGE = 15V, tp limitado por Tjmax

ICM

120

A

Dissipação de potência, Tj=25°C

Ptot

188

W

Operação junção temperatura

Tj

-40...+175

°C

Temperatura de armazenamento

TS

-55...+150

°C

Temperatura de soldagem,soldagem por onda 1,6 mm (0,063 pol.) de case para 10s

-

260

°C

Montagem torque, M3 parafuso Máximo de montagem processos: 3

M

0.6

Nm

Parâmetro

Símbolo

Valor máx.

Unidade

Resistência térmica do IGBT,junção - case

Rθ(j-c)

0.8

K/W

Resistência térmica do diodoce,junção - case

Rθ(j-c)

1.1

K/W

Resistência térmica, junção - ambiente

Rθ(j-a)

40

K/W