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YZPST-BT131-2325
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Série BT131 Triacs de 1 A SOT-223
DESCRIÇÃO:
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 1 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS:
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
Faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | ℃ | |
Faixa de temperatura de junção em operação | Tj | -40~125 | ℃ | |
Tensão de pico repetitiva em estado desligado (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V | |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V | |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 1 | A | |
Corrente de pico de surto em condução não repetitiva (ciclo completo, F=50 Hz) |
ITSM |
16 |
A | |
I2valor de t para fusão (tp=10 ms) | I2t | 1.28 | A2s | |
Taxa crítica de variação de subida da corrente em condução(IG=2×IGT) |
dI/dt | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | 50 |
A/μs |
Ⅳ | 10 | |||
Corrente de pico de gate | IGM | 2 | A | |
Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 0.5 | W | |
Potência de pico de gate | PGM | 5 | W | |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS(Tj=25°C salvo indicação em contrário)
Parâmetro |
Condição de teste |
Quadrante |
| Valor |
Unidade | |
T | D | |||||
IGT |
VD=12 V, RL=33 Ω | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ |
MAX | 3 | 5 | mA |
Ⅳ | 5 | 10 |
| |||
VGT | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | 1.3 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MÍN | 0.2 | V | |
IA | IT=100mA | MAX | 5 | 7 | mA | |
IL |
IG=1,2IGT | Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ |
MAX | 5 | 5 |
mA |
Ⅱ | 10 | 20 | ||||
dV/dt | VD=0,66×VDRM Tj=125℃ abertura da gate | MÍN | 20 | 50 | V/µs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
VTM | ITM=1,4 A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
IDRM IRRM |
VDRM= VRRM | Tj=25℃ |
MAX | 5 | µA |
Tj=125℃ | 0.5 | mA | |||
RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
Rth(j-c) |
junção para encapsulamento (CA) | TO-92 | 60 | ℃/W |
SOT-89/SOT-223 SOT-223-2L | 31 | ℃/W | ||
DADOS MECÂNICOS DO INVÓLUCRO
Para mais informações sobreYZPST-BT131faça o download do arquivo PDF acima denominado " YZPST-BT131 "
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
