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YZPST-30TPS12
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
Alta tensão 30TPS12 SCR de 30A TO-247
DESCRIÇÃO:
A série 30TPS12 de retificadores controlados de silício para alta tensão foi projetada especificamente para aplicações de comutação de média potência e controle de fase. A tecnologia de passivação em vidro utilizada garante operação confiável até 125 °C de temperatura de junção. As aplicações típicas incluem retificação de entrada (partida suave), e estes produtos foram projetados para uso com diodos de entrada, chaves e retificadores de saída, disponíveis em encapsulamentos idênticos.
Símbolo
Símbolo | Valor |
IGT | ≤35 mA |
IT(RMS) | 30 A |
VRRM | 1200 V |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)
Símbolo | PARÂMETRO | Valor | Unidade |
V DRM | Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio (Tj = 25°C) | 1200 | V |
VRRM | Tensão de pico reversa repetitiva (Tj = 25°C) | 1200 | V |
IT(AV) | Corrente média em condução (ângulo de condução de 180°) | 20 | A |
IT(RMS) | Corrente RMS em condução (onda senoidal completa) | 30 | A |
ITSM | Corrente de pico de surto não repetitiva em condução (ângulo de condução de 180°, F = 50 Hz, TC = 85°C) | 300 | A |
I²t | I²t para fusão (t = 10 ms) | 450 | A2s |
dI/dt | Taxa crítica de variação de subida da corrente em estado ligado (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) | 50 | A/μs |
IGM | Corrente de gate de pico | 4 | A |
PG(AV) | Dissipação média de potência no gate | 1 | W |
Tstg | faixa de temperatura de junção de armazenamento | -40 ~ 150 | °C |
TJ | Faixa de temperatura de junção de operação | -40 ~ 125 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25°C, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| Mín. | Máx. | |||
| IGT | V = 12 V R = 33 Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG= 1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD = 2/3 VDRM Gate aberto Tj = 125°C | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45 A tp = 380 μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
DADOS MECÂNICOS DO INVÓLUCRO
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
