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YZPST-600HFX170C6S Módulo IGBT
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Módulo IGBT YZPST-600HFX170C6S
1700V/600A 2 em um único encapsulamento
Descrição geral
O módulo de potência IGBT oferece baixíssima
perda de condução, além de alta robustez contra curto-circuito.
Eles são projetados para aplicações como
inversores gerais e UPS.
Características
. Tecnologia IGBT trench com baixo VCE(sat)
. Capacidade de curto-circuito de 10μs
. VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
. Temperatura máxima de junção 175oC
. Carcaça de baixa indutância
. Diodo FWD antiparalelo de recuperação reversa rápida e suave
. Base de cobre isolada com tecnologia DBC
Aplicações típicas
. Inversor para acionamento de motor
. Amplificador de acionamento servo AC e DC
. Fonte de alimentação ininterrupta
IGBT
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
VCES | Tensão coletor-emissor | 1700 | V |
VGES | Tensão gate-emissor | ±20 | V |
IC | Corrente de coletor TC=25oC TC= 100oC | 1069 600 | A |
ICM | Corrente de coletor pulsada tp=1ms | 1200 | A |
PD | Dissipação máxima de potência T =175oC | 4166 | W |
Diodo
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
VRRM | Tensão reversa de pico repetitiva | 1700 | V |
IF | Corrente contínua direta do diodo | 600 | A |
IFM | Corrente máxima direta do diodo tp=1 ms | 1200 | A |
Módulo
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
Tjmax | Temperatura máxima da junção | 175 | oC |
Tjop | Temperatura de junção de operação | -40 a +150 | oC |
TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +125 | oC |
VISO | Tensão de isolamento RMS, f=50Hz, t=1min | 4000 | V |
IGBT Características TC=25oC, salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| IC=600A, VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Coletor para emissor | IC=600A, VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tensão de saturação | IC=600A, VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Limiar porta-emissor Tensão | IC= 12,0 mA, VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Coletor Corte-Desligado | VCE=VCES,VGE=0V, | 5 | mA | ||
| Corrente | Tj=25oC | |||||
| IGES | Corrente de fuga gate-emissor Corrente | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Resistência interna de gateance | 1.3 | Ω | |||
| Cies | Capacitância de entrada | VCE=25V, f=1MHz, | 72.3 | nF | ||
| Cres | Transferência reversa | VGE=0V | 1.75 | nF | ||
| Capacitância | ||||||
| QG | Carga de gate | VGE=- 15…+15V | 5.66 | μC | ||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 170 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 67 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=600A, RG= 1,0Ω, VGE=±15V, Tj=25oC | 527 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 138 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 154 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 132 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 168 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 80 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=600A, RG= 1,0Ω, VGE=±15V, Tj= 125oC | 619 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 196 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 236 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 198 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 192 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 80 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=600A, RG= 1,0Ω, VGE=±15V, Tj= 150oC | 640 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 216 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 259 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 215 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| tP≤10μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Dados de SC | Tj=150oC, VCC= 1000V, VCEM≤1700V | 2400 | A |
Dimensões da embalagem
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