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YZPST-Z0107MN
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Cód. peça: YZPST-Z0103MA; Z0103NA; Z0107MA; Z0107NA; Z0109MA; Z0109NA Z0103MN; Z0103NN; Z0107MN; Z0107NN; Z0109MN; Z0109NN
- Perfil do produto
1.1 Descrição
Triacs passivados em encapsulamentos convencionais e para montagem em superfície.Destinados a aplicações que exigem alta capacidade de bloqueio e de suporte a transitórios bidirecionais.
Disponíveis numa gama de sensibilidades à corrente de gate para desempenho ideal.
Produtodisponibilidade:
Z0103MA;Z0103NA;Z0107MA;Z0107NA;Z0109MA;Z0109NA em SOT54B Z0103MN;Z0103NN;Z0107MN;Z0107NN;Z0109MN;Z0109NN em SOT223.
1.2 Características
Tensão de bloqueio até 800 V (tipos NA e NN com corrente eficaz em condução de 1 A)
1.3 Aplicações
Eletrodomésticos; controlo de pequenos motores
Controladores de ventoinhas; pequenas cargas no controlo de processos industriais.
Pinagem informações
Tabela 1: Pinagem - SOT54B (TO-92), SOT223, simplificadofied desenho dimensional e símbolo
| 1 terminal 2 (T2) | SOT54B (TO-92) |
| 2 porta (G) | |
| 3 terminal 1 (T1) | |
| 1 terminal 1 (T1) SOT223 | |
| 2 | terminal 2 (T2) |
| 3 | porta (G) |
| 4 terminal 2 (T2) | |
3.1 Opções de pedido
Tabela 2: Informações de pedido
| Parte Número | Tensão (VDRM) | Sensibilidade do gate (IGT) | Encapsulamento |
| Z0103MA | 600 V | 3 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0103NA | 800 V | 3 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0107MA | 600 V | 5 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0107NA | 800 V | 5 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0109MA | 600 V | 10 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0109NA | 800 V | 10 mA | SOT54B (TO-92) |
| Z0103MN | 600 V | 3 mA | SOT223 |
| Z0103NN | 800 V | 3 mA | SOT223 |
| Z0107MN | 600 V | 5 mA | SOT223 |
| Z0107NN | 800 V | 5 mA | SOT223 |
| Z0109MN | 600 V | 10 mA | SOT223 |
| Z0109NN | 800 V | 10 mA | SOT223 |
- Limites máximos
Tabela 3: Limites máximos
Em conformidade com o sistema de classificação de valores máximos absolutos (IEC 60134).
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Máx. | Unidade |
| V DRM | repetitivo tensão de pico em estado de bloqueio | 25 °C≤ Tj ≤ 125 °C | |||
| Z0103/07/09MA; Z0103/07/09MN | - | 600 | V | ||
| Z0103/07/09NA; Z0103/07/09NN | - | 800 | V | ||
| VRRM | repetitivo pico tensão reversa | 25 °C≤ Tj ≤ 125 °C | |||
| Z0103/07/09MA; Z0103/07/09MN | - | 600 | V | ||
| Z0103/07/09NA; Z0103/07/09NN | - | 800 | V | ||
| ITSM | não repetitivo corrente de pico no estado ligado | onda senoidal completa; Tj = 25 °C antes de surto; | |||
| Figura 2 eFigura 3 | |||||
| t = 20 ms | - | 8 | A | ||
| t = 16.7 ms | - | 8.5 | A | ||
| IT(RMS) | Corrente RMS em condução | todos os ângulos de condução; Figura 4 | |||
| SOT223 | Tsp = 90 °C | - | 1 | A | |
| SOT54B (TO-92) | T terminal = 50 °C | - | 1 | A | |
| I2t | I2t para fusão | t = 10 ms | - | 0.35 | A2s |
| dIT/dt | taxa de aumento da condução corrente do coletor | ITM = 1.0 A; IG = 2 x I GT; dIG/dt = 100 mA/µs | - | 20 | A/µs |
| IGM | gate de pico corrente do coletor | tp = 20 µs | - | 1 | A |
| PGM | gate de pico potência | - | 2 | W | |
| PG(AV) | gate médio potência | em qualquer 20 ms período | - | 0.1 | W |
| Tstg | temperatura de armazenamento | −40 | 150 | °C | |
| Tj | junção temperatura | −40 | 125 | °C |
Características térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| Rth(j-sp) | resistência térmica da junção ao ponto de solda para SOT223 | Figura 5 | - | - | 25 | K/W |
| Rth(j-terminal) | resistência térmica da junção ao terminal para SOT54B (TO-92) | Figura 5 | - | - | 60 | K/W |
| Rth(j-a) | resistência térmica da junção ao ambiente | |||||
| SOT223 | menor área ocupada; montado em uma PCB | - | 60 | - | K/W | |
| SOT54B (TO-92) | vertical em ar livre | - | 150 | - | K/W |
Características
Tj= 25 ℃ salvo indicação em contrário.
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Características estáticas | |||||||
| I GT | corrente de disparo de gate | VD = 12 V; RL = 30 Ω; T2+ G+; T2+ G−; T2− G−; | |||||
| Z0103MA/MN/NA/NN | Figura 9 | - | - | 3 | mA | ||
| Z0107MA/MN/NA/NN | - | - | 5 | mA | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | - | - | 10 | mA | |||
| Z0103MA/MN/NA/NN | VD = 12 V; RL = 30 Ω; T2− G+; Figura 9 | - | - | 5 | mA | ||
| Z0107MA/MN/NA/NN | - | - | 7 | mA | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | - | - | 10 | mA | |||
| IL | corrente de travamento | VD = 12 V; RL = 30 Ω; T2+ G+; T2− G−; T2− G+; | |||||
| Z0103MA/MN/NA/NN | Figura 7 | - | - | 7 | mA | ||
| Z0107MA/MN/NA/NN | - | - | 10 | mA | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | - | - | 15 | mA | |||
| Z0103MA/MN/NA/NN | VD = 12 V; RL = 30 Ω; T2+ G− ; Figura 7 | - | - | 15 | mA | ||
| Z0107MA/MN/NA/NN | - | - | 20 | mA | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | - | - | 25 | mA | |||
| IA | corrente de manutenção | IT = 50 mA; Figura 8 | |||||
| Z0103MA/MN/NA/NN | - | - | 7 | mA | |||
| Z0107MA/MN/NA/NN | - | - | 10 | mA | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | - | - | 10 | mA | |||
| VT | tensão em condução | Figura 6 | - | 1.3 | 1.6 | V | |
| VGT | tensão de disparo do gate | VD = 12 V; RL = 30 Ω; Tj = 25 °C; Figura 11 | - | - | 1.3 | V | |
| VD = V DRM; RL = 3.3 kΩ; Tj = 125 °C; Figura 11 | 0.2 | - | - | V | |||
| ID | fuga no estado de bloqueio corrente do coletor | VD = V DRM(máx); VR = VRRM(máx); Tj = 125 。C | - | - | 500 | μA | |
| Características dinâmicas | |||||||
| dVD/dt | taxa crítica de subida de | VD = 0.67 V DRM(máx); Tj = 110 °C; forma de onda exponencial; gate aberto; Figura 10 | |||||
| tensão no estado de bloqueio | |||||||
| Z0103MA/MN/NA/NN | 10 | - | - | V/μs | |||
| Z0107MA/MN/NA/NN | 20 | - | - | V/μs | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | 50 | - | - | V/μs | |||
| dVcom/dt | taxa crítica de variação de tensão de comutação | VD = 400 V; IT = 1 A; Tj = 110 。C; | |||||
| Z0103MA/MN/NA/NN | dIcom/dt = 0.44 A/ms; porta aberto | 0.5 | - | - | V/μs | ||
| Z0107MA/MN/NA/NN | 1 | - | - | V/μs | |||
| Z0109MA/MN/NA/NN | 2 | - | - | V/μs | |||
plástico simples-extremidade com terminais (para furo) encapsulamento; 3 terminais
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
