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YZPST-BTB24-1200WRG
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Série BTA24/BTB24 de triacs de 25 A
Triac BTB24-1200WRG de 1200 V, 25 A, elevada capacidade, TO-263
YZPST-BTB24-1200WRG
DESCRIÇÃO:
Com elevada capacidade para suportar choques de grandes correntes, os triacs da série BTA24/BTB24 oferecem elevada taxa dv/dt e forte resistência a interferências eletromagnéticas.
Com elevada performance de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para cargas indutivas. Em relação aos três terminais e ao dissipador externo, o BTA24 oferece uma tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS em conformidade com as normas UL
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 25 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
ABSOLUTOS MÁXIMOS CLASSIFICAÇÕES:
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão de bloqueio de pico repetitiva em estado desligado (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 25 | A |
Corrente de pico não repetitiva em surto no estado ligado (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
250 |
A |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 340 | A2s |
Taxa crítica de subida da corrente em estado ligado(IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Corrente de pico do gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 10 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
3 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | CW | BW | Unidade | ||
| IGT | VD=12 V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||
| dV/dt | MÍN | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
4 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | C | B | Unidade | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||
| dV/dt | MÍN | 200 | 500 | V/ µs | ||
RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| TO-220A(Isolado） | 1.5 | |||
| TO-220F(Isolado） | 1.6 | |||
| TO-263 | 2.1 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | junção a case(CA) | TO-3P | 0.68 | |
DADOS MECÂNICOS DO ENCAPSULAMENTO
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
