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YZPST-BTA208-800D TRIAC BTA208-800D 800 V 8 A TO-220 de alto dv/dt
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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BTA208 TRIACs
YZPST-BTA208-800D
DESCRIÇÃO:
Devido à passivação por vidro separada, estes dispositivos apresentam bom
desempenho em dv/dt e confiabilidade. A série Triac é adequada para comutação CA de uso geral. Pode ser usada como função liga/desliga
utilizado em aplicações como relés estáticos, regulação de aquecimento ou controlo de fase em dimmers de iluminação e controlo de velocidade de motores
controladores.
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
| Símbolo | Valor | Unidade |
| IT(RMS) | 8 | A |
| VDRM/VRRM | 600/800 | V |
| IGT | ≤10 | mA |
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | PARÂMETRO | Valor | Unidade | |
| IT(RMS) | corrente RMS em condução (senoide completane ) | TO-220. Não isol. TC≤102℃ | 8 | A |
| Corrente de pico de surto não repetitiva em condução | t=20ms | 65 | ||
| ITSM | (onda senoidal completa, Tj=25℃) | t= 16,7ms | 71 | A |
| I2t | I2Valor t para fusão | t= 10ms | 21 | A2S |
| di/dt | Repetitivo de de subida de on-de condução Corrente após o disparo | ITM = 12 A; IG = 0,2 A dIG/dt = 0,2 A/us | 100 | A/μs |
| IGM | Pico da gate corrente do coletor | — | 2 | A |
| VGM | Tensão de pico do gate | — | 5 | W |
| PGM | Potência de pico de gate | — | 5 | W |
| PG(AV) | Potência média do gate | em qualquer período de 20 ms | 0.5 | W |
| Tstg | Armazenamento faixa de temperatura da junçãoixa | -40 a +150 | ℃ | |
| Tj | Operação junção temperatura faixa | 125 | ℃ | |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25。C, salvo indicação em contrário)
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Valor | ||||||
| Parâmetro | Condição de teste | Quadrante | MÍN | TIPO | MAX | Unidade | |
| IGT | Corrente de disparo do gate | VD= 12V, IT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | 10 | mA |
| VD= 12V, IT=0. 1A | - | 0.7 | 1.5 | ||||
| VGT | Tensão de disparo do gate | VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C | 0.25 | 0.4 | - | V | |
| VT | Tensão em condução | IT= 10 A | - | 1.3 | 1.65 | V | |
| IA | Corrente de manutenção | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | 60 | mA |
| Ⅰ-Ⅲ | - | - | 60 | mA | |||
| IL | Corrente de travamento | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅱ | - | - | 90 | mA |
| ID | Corrente de fuga em estado de bloqueio | VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C | - | 0.1 | 0.5 | mA | |
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS
| Símbolo | Valor | ||||
| Parâmetro | Condição de teste | MÍN | TIPO | Unidade | |
| dVD/dt | Taxa crítica de de subida de desligado- tensão em estado | VDM = 67% VDRM(máx); Tj = 125 ˚C | 1000 | 4000 | V/us |
| forma de onda exponencial; circuito de gate aberto | |||||
| dIcom/dt | Taxa crítica de de variação dacorrente de comutação | VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 8 A; sem snubber; circuito de acionamento do gaten circuito | 14 | A/ms | |
| T | Ligação controlada pelo gate tempo | ITM = 12 A; VD= VDRM(máx) ; IG = 0. 1 A; dIG/dt= 5 A/µs | 2 | us | |
| tgt | |||||
EMBALAGEM DADOS MECÂNICOS
TO-220
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
