YZPST-BTA204X-800E

Símbolo

Valor

Unidade

IT(RMS)

4

A

VDRM / VRRM

≥800

V

ITSM

25

A

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

IT (RMS)

Corrente RMS em estado ligado (onda senoidal completa)

4

A

ITSM

Pico de corrente em estado ligado não repetitivo

(Tj=25℃, tp=20ms)

 25

A

I²t

I2t para fusão (tp=10ms)

3.1

A²s

IGM

Corrente de pico do gate

2

A

VGM

Tensão de pico do gate

5

V

PGM

Potência de pico de gate

5

W

PG(AV)

Potência média do gate

0.5

W

di/dt

Taxa repetitiva de subida da corrente em estado ligado após o disparo

(IT=6A, IG=0.2A, dlG/dt=0.2A/us)

 100

A/μs

Tstg

Tj

Temperatura de armazenamento

Temperatura de junção em operação

-40--+150

-40--+110

℃

Símbolo

Parâmetro

Condição

Mín.

Tipo

Máx.

Unidade

Rth j-mb

Resistência térmica, junção para mb

Um ciclo Meio ciclo

——

——

——

——

3.0

3.7

K/W

K/W

Rth j-a

Térmica

Resistência, junção para ambiente

em ar livre

 ——

 60

 ——

K/W

Símbolo

Condições

Mín.

Tipo

Máx.

Unidade

BT204-

VD=12V    IT=0.1A T2+ G+

T2+ G-

35

mA

IGT

T2- G-

——

35

mA

——

35

mA

——

IH

VD=12V IGT=0.1A

2

12

mA

IL

IG=2×IGT

Ⅰ-Ⅲ

6

mA

Ⅱ

9

VTM

IT=8A

——

1.25

1.7

V

IDRM

V DRM=600V

10

μA

IRRM

VRRM=600V

10

μA

VD=12V    IT=0.1A

0.7

1.65

V

VGT

VD=400V IT=0.1A

0.25

0.4

1.5

V

Tj=125℃

VD=VDRM（MÁX）

mA

ID

Tj=125℃

——

0.1

0.5

Símbolo

Condições

Mín.

Tipo

Máx.

Unidade

dVD/dt

VDM=67%VDm（MÁX）

Tj=125℃

 30

V/μs

tgt

ITm=12A    VD=VDRM（MÁX）

IG=0.1A dlG/dt=5A/ms

 2

 ——

μs