YZPST-BTA25-600BW TG25C60

Símbolo

Item

Condições

Máximos

Unidade

IT RMS

Corrente no estado ligado RMS

Tc

25

A

ITSM

Corrente de surto em estado ligado

Um ciclo, 50Hz/60Hz, pico, não repetitivo

300/330

A

I²t

I²t

Valor para um ciclo da corrente de surto

450

A²s

PGM

Dissipação de potência de gate de pico

10

W

PGAV

Dissipação média de potência de gate

1

W

IGM

Corrente de gate de pico

3

A

VGM

Tensão de pico da gate

10

V

di/dt

Taxa crítica de subida da corrente em estado ligado

IG=100mA,Tj=25   VD=1/2VDRM    dIG/dt=1A/μS

50

A/μS

Tj

Temperatura de junção de operação

-25～+125

℃

Tstg

Temperatura de armazenamento

-40～+125

℃

VISO

Tensão de ruptura de isolamento R.M.S.

C.A. 1 minuto

2500

V

Torque de montagem M4

Valor recomendado 1.0～1.4（10～14）

14

kgf.CM

Símbolo

Item

Condições

Máximos

Unidade

IDRM

Pico repetitivo de estado desligado

Corrente, máx.

VD=VDRM, monofásico, meia onda, Tj=125℃

5

mA

VTM

Tensão de pico em estado ligado, máx.

Corrente em estado ligado Corrente em estado ligado √2X IT (RMS), medição instantânea

1.4

V

I GT1 +

1

Corrente de disparo do gate, máx.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

I GT1 -

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

I GT3 +

3

-

mA

I GT3 +

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

V GT1+

1

Tensão de disparo da gate, máx.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V GT1-

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V GT3+

3

-

V

V GT3-

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

VGD

Tensão de gate sem disparo, mín.

Tj =25℃, VD= 1/2VRRM

0.2

V

tgt

Tempo de ligação, máx.

IT=(RMS),IG= 100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS

10

V

dv/dt

Taxa crítica de subida da tensão em estado ligado

Tensão, mín.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM

onda exponencial.

20

V/μS

(dv/dt) c

Taxa crítica de subida da tensão em estado desligado

Tensão na comutação, mín.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM

di/dtc=15A/μS

5

V/μS

IH

Corrente de manutenção, típ.

Tj =25℃

30

mA

Rth(j-c)

Impedância térmica, máx.

Junção para encapsulamento

1.5

℃/W