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YZPST-BTA212X-600D
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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BTA212 TRIACs de 12A
YZPST-BTA212X-600D
DESCRIÇÃO:
Com alta capacidade de suportar choques de grandes correntes, os triacs da série BTA212 oferecem alta taxa dv/dt com forte resistência a interferências eletromagnéticas. Com excelente desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para uso em cargas indutivas. Do conjunto dos três terminais ao dissipador externo, oferece tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS em conformidade com as normas ULCom corrente de comutação, os triacs da série BTA212 oferecem alta taxa dv/dt com forte resistência à interferência eletromagnética. Com alto desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para uso em carga indutiva. De todos os três terminais ao dissipador de calor externo, oferece uma tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS em conformidade com as normas UL
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
ABSOLUTOS MÁXIMOS CLASSIFICAÇÕES:
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão de bloqueio de pico repetitiva em estado desligado (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200 | V |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 12 | A |
Corrente de pico não repetitiva em surto no estado ligado (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
120 |
A |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 78 | A2s |
Taxa crítica de aumento da corrente no estado ligado (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Corrente de pico do gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
3 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||||
| Condição de teste | Quadrante | TW | SW | CW | BW | Unidade | ||
| IGT | VD=12 V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IA | IT100mA | MAX | 5 | 10 | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 30 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 40 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 100 | 200 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
4 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | C | B | Unidade | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 70 | 90 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||
| dV/dt | MÍN | 200 | 500 | V/ µs | ||
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
| VTM | ITM=17A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 5 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 1 | mA |
RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| TO-220A(Isolado） | 2.3 | |||
| TO-220B(Não isolado） | 1.5 | |||
| TO-220F(Isolado） | 2.5 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | junção a case(CA) | TO-263 | 1.5 | |
DADOS MECÂNICOS DO INVÓLUCRO
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
