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YZPST-TG40E60
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Valores máximos
Símbolo | Item | Máximos | Unidade |
TG40E60 | |||
VDRM | Repetitivo Tensão de pico em estado de bloqueiotensão | 600 | V |
Símbolo | Item | Condições | Máximos | Unidade |
IT（RMS） | R.M.S. Em-condução Corrente | Tc ＝64℃ | 40 | A |
ITSM | Surto Em-condução Corrente | Um ciclo, 50/60Hz, pico valor, não-repetitivo | 380/420 | A |
I2t | I2t | Valor para um ciclo de surto corrente do coletor | 730 | A2s |
PGM | Pico Gate Potência Dissipação |
| 10 | W |
PG（AV） | Gate médio Potência Dissipação |
| 1 | W |
IGM | Pico Gate Corrente |
| 3 | A |
VGM | Tensão de pico da gate |
| 10 | V |
di/dt | Taxa crítica Taxa de Elevação de Corrente em condução | IG ＝100mA，VD = ½VDRM，diG/dt ＝1A/ μs | 50 | A/ μs |
Tj | Temperatura de junção de operação |
| -40～＋125 | ℃ |
Tstg | Armazenamento Temperatura |
| -40～＋150 | ℃ |
VISO | Isolamento Ruptura Tensão（R.M.S.） | A.C.1 minuto | 2500 | V |
| Montagem Torque（M4） | Valor recomendado 1.0～1,4N ・m（10～14kgf・㎝） | 1.5（15） | N･m （kgf･㎝） |
| Massa | Típico valor | 23 | g |
Características elétricas Características
Símbolo | Item | Condições | Máximos | Unidade | |||
Mín.. | Típ. | Máx.. | |||||
IDRM | Repetitivo Pico em bloqueio Corrente | Tj ＝125℃, VD ＝VDRM |
|
| 5 | mA | |
VTM | Tensão de pico em condução | IT ＝60A |
|
| 1.4 | V | |
I GT1 | 1 |
Gate Disparo Corrente |
VD ＝6V, IT ＝1A |
|
| 50 | mA |
I GT1 | 2 |
|
| 50 | mA | ||
I GT3 | 3 | ― | ― | ― | mA | ||
I GT3 | 4 |
|
| 50 | mA | ||
VGT1 | 1 |
Tensão de disparo do gate |
VD ＝6V, IT ＝1A |
|
| 1.5 | V |
VGT1 | 2 |
|
| 1.5 | V | ||
VGT3 | 3 | ― | ― | ― | V | ||
VGT3 | 4 |
|
| 1.5 | V | ||
VGD | Não-Disparo Gate Tensão | Tj ＝125℃, VD = ½VDRM | 0.2 |
|
| V | |
dv/dt | Taxa crítica Taxa de Elevação de Em bloqueio Tensão | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM, Exponencial onda. | 500 |
|
| V/ μs | |
〔dv/dt〕c | Taxa crítica Taxa de Elevação de Em bloqueio Tensão na comutação | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM,〔di/dt〕c ＝10A/ms | 6 |
|
| V/ μs | |
IA | Corrente de manutenção |
|
| 30 |
| mA | |
Rth（j-c） | Térmica Impedância | Junção para a caixa |
|
| 1.3 | ℃/W | |
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
