YZPST-MJE2955T
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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TRANSISTORES DE POTÊNCIA DE SILÍCIO PNP MJE2955T
O MJE2955T é um transistor PNP, complementar ao MJE3055T, e é usado em amplificação de potência de áudio e em circuitos de conversão de energia.
Formato da embalagem: TO-220
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VCBO | Tensão coletor-base | -70 | V |
VCEO | Tensão coletor-emissor | -60 | V |
VEBO | Tensão emissor-base | -5 | V |
IC | Corrente contínua do coletor | -10 | A |
PTOT | Dissipação total em Tcase=25 ℃ | 75 | W |
Tj | Temperatura da junção | 150 | ℃ |
Tstg | Faixa de temperatura de armazenamento | -55-150 | ℃ |
● CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS(TC = 25°C, salvo indicação em contrário) especificado)
Símbolo | Parâmetro | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
VCBO | Tensão de ruptura coletor-base | IC= -10mA | -70 |
|
| V |
VCEO | Tensão de ruptura coletor-emissor | IC= -200mA | -60 |
|
| V |
VEBO | Tensão de ruptura emissor-base | IE= -10mA | - 5 |
|
| V |
ICBO | Corrente de corte do coletor | VCB= -70V |
|
| 1 | mA |
IEBO | Corrente de corte do emissor | VEB= -5V |
|
| 5 | mA |
hFE | Ganho de corrente CC | IC= -4A,VCE= -4V | 20 |
| 100 |
|
VCE(sat) | Tensão de ruptura coletor-base | IC= -4A,IB= -0,4A |
|
| -1.1 | V |
VBE(sat) | Tensão de saturação base-emissor | IC= -4A,IB= -4A |
|
| -1.8 | V |
fT | Frequência de transição | VCE=10V, IC=0,5A，f=1MHZ | 2 |
|
| MHZ |
a：Teste de pulso，tp ≤300us，δ≤2% | ||||||
CARACTERÍSTICAS MECÂNICAS DO ENCAPSULAMENTO MECÂNICOS
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