.webp)
.webp)
.webp)
YZPST-T4150-08FT
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES | |||
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Armazenamento temperatura da junção faixa | Tstg | -40~ 150 | ℃ |
Operação junção temperatura faixa | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio(T =25℃) | VDRM | 800/1600 | V |
Tensão repetitiva de pico reversa (T =25℃) | VRRM | 800/1600 | V |
Corrente RMS em condução (TC=80℃) | IT(RMS) | 40 | A |
Corrente de pico de surto não repetitiva em condução (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 400 | A |
I2valor t para fusão (tp= 10ms) | I2t | 800 | A2 S |
Taxa crítica de de subida de on-de condução corrente do coletor(I =2×IGT) | di/dt | 50 | A/μS |
Pico da gate corrente do coletor | IGM | 8 | A |
Dissipação de potência de pico da gateão | PGM | 40 | W |
Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 1 | W |
Resistências térmicas | |||
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
Rth(j-c) | Junção para a caixa | 0.8 |
℃/W |
Rth(j-a) | Junção para o ambiente | 50 | |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário) | |||||
Símbolo | Condição de teste | Quadrante |
| Valor | Unidade |
IGT | VD= 12V,IT=0.1A,Tj=25 ℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 50 | mA |
VGT | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRMTj=125℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ |
MAX. | 100 |
mA |
Ⅱ | 160 | ||||
IA | IT=500mA | MAX. | 80 | mA | |
dV/dt | VD=2/3VDRMGate Aberto Tj=125℃ | MÍN. | 1000 | V/μs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS | ||||
Símbolo | Parâmetro | Valor(MAX.) | Unidade | |
VTM | ITM=60A tp=380μs | Tj=25℃ | 1.5 | V |
VTO | Tensão de limiar | Tj = 125℃ | 0.80 | V |
RD | Resistência dinâmica | Tj = 125℃ | 15 | mΩ |
IDRM | VD=VDRMVR=VRRM | Tj=25℃ | 10 | μA |
IRRM | Tj = 125℃ | 6 | mA | |
TO-3PF Encapsulamento Mecânico Dados
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
