YZPST-STW20NM60
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Características
Alta robustez
Baixo RDS(ON) (tip. 0,22 Ω) @VGS=10 V
Baixa carga de gate (tip. 84 nC)
Capacidade dv/dt aprimorada
100% testado contra avalanche
Aplicações: UPS, carregadores, fonte de alimentação para PC, inversor
Este MOSFET de potência é produzido com a tecnologia avançada da Promising Chip.
Essa tecnologia permite que o MOSFET de potência apresente melhores características, incluindo tempo de comutação rápido, baixa resistência em condução, baixa carga de gate e, especialmente, excelentes características de avalanche.
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VDSS | Tensão dreno-fonte | 600 | V |
ID | Corrente contínua de dreno (@Tc=25 ℃) | 20* | A |
Corrente contínua de dreno (@Tc=100 ℃) | 12* | A | |
IDM | Corrente de dreno pulsada | 78 | A |
VGS | Tensão gate-fonte | ±30 | V |
EAS | Energia de avalanche de pulso único | 1284 | mJ |
EAR | Energia de avalanche pulsada repetitiva | 97 | mJ |
dv/dt | dv/dt de recuperação de pico do diodo | 5 | V/ns |
PD | Dissipação total de potência (@Tc=25 ℃) | 42.3 | W |
Fator de redução acima de 25 ℃ | 0.32 | W/℃ | |
TSTG, TJ | Temperatura de junção em operação e temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
TL | Temperatura máxima dos terminais para soldagem, a 1/8 do corpo por 5 segundos | 300 | ℃ |
*A corrente de dreno é limitada pela temperatura de junção Características térmicas:
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
Rthjc | Resistência térmica, junção para encapsulamento | 3.1 | ℃/W |
Rthja | Resistência térmica, junção para ambiente | 49 | ℃/W |
Características nominais do diodo de fonte para dreno:
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Tip. | Máx. | Unidade |
Is | Corrente contínua da fonte | Junção p-n reversa integrada diodo no MOSFET | 20 | A | ||
ISM | Corrente pulsada da fonte | 80 | A | |||
VSD | Queda de tensão direta do diodo | IS =20A VGS = 0V | 1.3 | V | ||
trr | Tempo de recuperação reversa | IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us | 494 | ns | ||
Qrr | Carga de recuperação reversa | 7.3 | uC |
A YZPST pode fornecer a seguinte lista de MOSFETs
| Rds(on) mΩ (típ.) @Vgs= | Qg | ||||||||||||
| MPN | Encapsulamento | Tipo | VDS (V) | Vgs | Ids | Pd | Vgs(th) | (nC) | Qgs | Qgd | |||
| （Tipo） | (V) | (A) | (W) | máx. (V) | 10V 4.5V 2.5V (4.5 | (nC) | (nC) | ||||||
| 2301 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -3A | 1W | -1V | 64mΩ | 89mΩ | 3.3 | 0.7 | 1.3 | |
| 2302 | SOT23 | N | 20V | ±10 | 2.9A | 1W | 1.2V | 30mΩ | 37mΩ | 4 | 0.65 | 1.2 | |
| 2305 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -4.8A | 1.7W | -1V | 45mΩ | 60mΩ | 7.8 | 1.2 | 1.6 | |
| 3400 | SOT23 | N | 30V | ±12 | 5.8A | 1.4W | 1.4V | 28mΩ | 31mΩ | 45mΩ | 9.5 | 1.5 | 3 |
| 3401 | SOT23 | P | -30V | ±20 | -4.2A | 1.2W | -1.3V | 50mΩ | 64mΩ | 95mΩ | 9.5 | 2 | 3 |
| 10N03 | SOP8 | N | 30V | ±20 | 10A | 2.5W | 3V | 7.5mΩ | 13 | 5.5 | 3.5 | ||
| 20N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 20A | 60W | 3V | 28mΩ | 15 | 2.9 | 3.2 | ||
| 30P03 | SOP8 | P | 30V | ±20 | -30A | 60W | 3V | ||||||
| 50N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 50A | 60W | 3V | 5.9mΩ | 23 | 7 | 4.5 | ||
| 60N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 60A | 46.3W | 1.8 V | 3.3mΩ | 20 | 6 | 2 | ||
| 80N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 80A | 83W | 4.8mΩ | 51 | 14 | 11 | |||
| 100N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 100A | 110W | 3V | 4mΩ | 100 | 25 | 45 | ||
| 60N04 | TO-252 | N | 40V | ±20 | 60A | 65W | 1.9V | 8.5mΩ | 12.5mΩ | 29 | 4.5 | 6.4 | |
| 4606 | SOP-8 | N+P | |||||||||||
| 3N06 | SOT-223 | N | 60V | ±20 | 3A | 1.7W | 1.4V | 105mΩ （MAX） | 125mΩ （MAX） | 6 | 1 | 1.3 | |
| 15P06 | TO-252 | P | |||||||||||
| 20N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 20A | 40W | 3V | 37mΩ | 12 | 4.1 | 4.5 | ||
| 25P06 | TO-252 | P | -60V | ±20 | -25A | 90W | -3.5V | 45mΩ | 46 | 9.5 | 10.5 | ||
| 30N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 30A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 50N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 50A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 110N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 110A | 120W | 2V | 5.2mΩ | 113 | 14 | 54 | ||
| G1002 | TO-92 | N | 100V | ±20 | 2A | 1.1W | 2.5V | 185mΩ | 5.2 | 0.75 | 1.4 | ||
| 5N10 | SOT223 | N | 100V | ±20 | 5A | 3W | 3V | 135mΩ | 16 | 3.2 | 4.7 | ||
| 14N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 14A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 30N10 | SOP8 | N | 100V | ±20 | 30A | 85W | 2.5V | 24mΩ | 39 | 8 | 12 | ||
| 11N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 11A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 12P10 | TO-252 | P | -100V | ±20 | -12A | 40W | -3V | 170mΩ | 25 | 5 | 7 | ||
| 5N20 | TO-252 | N | 200V | ±20 | 5A | 30W | 2.5V | 520mΩ | 12 | 2.5 | 3.8 | ||
| 2N60 | TO-252/251 | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N65 | TO-252 | N | 650V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 4N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 4A | 100W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 4N60 | TO-252 | N | 600V | ±30 | 4A | 33W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 5N60 | TO-220 | N | 600V | ±30 | 5A | 100W | 4V | 2.5Ω | 16 | 3 | 7.2 | ||
| 6N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 6A | 140W | 4V | 1.8Ω | 29 | 7 | 14.5 | ||
| 8N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 8A | 140W | 4V | 1.0Ω | 45 | 6.8 | 18 | ||
| 12N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 12A | 4V | 0.8Ω | 42 | 8.6 | 21 | |||
| IRF640 | TO- | N | 200V | ±30 | 18A | 43W | 4V | 0.14Ω | 40 | 6 | 22 | ||
| IRF740 | TO- | N | 400V | ±30 | 10.5A | 45.5W | 4V | 0.43Ω | 30 | 4 | 15 | ||
| IRF840 | TO- | N | 500V | ±30 | 9A | 45.5W | 4V | 0.65Ω | 30 | 4 | 15 | ||
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