YZPST-P035PJE120AT1B

Símbolo

Descrição

Condições

Valores

Unidade

VCES

Tensão coletor-emissor

Tj=25℃

1200

V

VGEs

Tensão de pico porta-emissor

Tj=25℃

±20

V

Ic

Contínua CC Coletor Corrente

Tc=100℃

35

A

CRM

Repetitivo Pico Coletor Corrente

tp=1ms

70

A

Ptot

Dissipação total de potência

Tc=25℃, Tjmax=175℃

172

W

Símbolo

Descrição

Condições

Valores

Unidade

Mín.

Típ.

Máx.

VcE(sat)

Tensão de saturação coletor-emissorVoltage

VGE=15V, Ic=35A, Tj=25℃

2.15

V

VGE=15V, Ic=35A, Tj=125℃

2.57

V

VgE(th

Tensão de limiar da porta

VGE=VCE, c=1,2mA

5.6

V

CES

Corte coletor-emissor Corrente

VCE=1200V,VGE=0V

1

mA

GES

Corrente de fuga gate-emissor Corrente

VGE=20V,VCE=0V

100

nA

Cies

Entrada Capacitância

VCE=25V, VGE=0V, f=1MHz

2590

pF

Coes

Capacitância de saída

180

pF

Cres

Capacitância de transferência reversacitance

86

pF

td(on)

Tempo de atraso de ligar

VCE=600V  VGF=±15V Ic=35A

Rg=120

Indutivo Carga Tj=25℃

34

ns

t

Tempo de subida na ligação

20

ns

td(off)

Tempo de atraso no desligamento

230

ns

t

Tempo de queda no desligamento

160

ns

Eon

Ligação Perda de comutação

2.5

mJ

Eoff

Comutação de desligamento Perda

2.5

mJ

lsc

Dados de curto-circuito

VGE≤15V,Vcc=800V  tp≤10μs,Tv=150℃

151

A

RthJC

Resistência térmica, junção paracase

Por IGBT

0.87

K/W

Tw OF

Temperatura de junção virtualatura

Durante a comutação

-40

150

℃