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YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Módulo IGBT de 150A 1200V
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito autolimitante
CHIP IGBT (tecnologia Trench + Field Stop)
VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
Comutação rápida, baixas perdas de comutação
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
APLICAÇÕES
Aplicação de comutação em alta frequência
conversores de soldagem
Controle de movimento/servo
Sistemas UPS
ABSOLUTOS MÁXIMOS CLASSIFICAÇÕES Tc=25ec salvo indicação em contrário especificado
Símbolo |
| Parâmetro | Condições de teste | Valores | Unidade |
IGBT | |||||
VCES |
| Coletor - Tensão do emissor | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES |
| Gate - Tensão do emissor |
| ±30 | V |
IC |
| Coletor CC Corrente | TC=25°C | 230 | A |
| TC=80°C | 150 | A | ||
ICM |
| Repetitivo Corrente de pico do coletor | tp=1 ms | 200 | A |
Ptot |
| Potência Dissipação Por IGBT |
| 694 | W |
Diodo | |||||
VRRM |
| Repetitivo Tensão reversatage | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
| Médio Corrente direta | TC=25°C | 150 | A |
| TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM |
| Repetitivo Pico Corrente direta | tp=1 ms | 200 | A |
EMBALAGEM DESENHO DIMENSIONAL
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
