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YZPST-BT151X-650R
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Série BT151 SCRs de 12A
YZPST-BT151X-650R
A série de SCRs BT151 é adequada para todos os modos de controle T0-220F
DESCRIÇÃO:
Tiristores passivados em vidro, em invólucro plástico. A série de SCR BT151 é adequada para todos os modos de controlo, encontrando aplicação em proteção contra sobretensão por crowbar, circuitos de controlo de motores em ferramentas elétricas e eletrodomésticos de cozinha, circuitos de limitação de corrente de arranque, ignição por descarga capacitiva e circuitos de regulação de tensão
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS
Símbolo | Valor | Unidade |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRM VRRM | 650 | V |
IGT | 15 | mA |
ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40 ~ 150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tensão de pico repetitiva em estado desligado (T =25℃) | VDRM | 650 | V |
Tensão de pico reversa repetitiva (T =25℃) | VRRM | 650 | V |
Corrente RMS em estado ligado (T = 105℃) | IT(RMS) | 12 | A |
Corrente de pico de surto não repetitiva em condução ( 180° ângulo de condução, F=50Hz) | ITSM | 100 | A |
Corrente média em condução (ângulo de condução de 180°) | IT(AV) | 8 | A |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 45 | A²s |
Taxa crítica de subida da corrente em condução (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns) | di/dt | 50 | A/μS |
Corrente de pico do gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 1 | W |
ELÉTRICAS CARACTERÍSTICAS (T=25℃salvo indicação especificado)
Símbolo | Condição de teste |
| Valor | Unidade |
IGT | V = 12V R = 140Ω | MÁX. | 15 | mA |
VGT | MÁX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ R= 1KΩ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | MÁX. | 50 | mA |
IH | IT=50mA | MÁX. | 30 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate aberto Tj=125℃ | MÍN. | 400 | V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Parâmetro | Valor（MAX.） | Unidade | |
| VTM | ITM =23A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.6 | V |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | Tj =25℃ | 5 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 2 | mA | |
Térmica Resistências
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
| TO-220M1 | 60 | |||
| Rth(j-a) | junção a ambiente | TO-220FW | 50 | |
| TO-252 | 70 | |||
| TO-220M1 | 1.5 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | Junção para a caixa | TO-220FW | 4.5 | |
| TO-252 | 2 | |||
TO-220FW Encapsulamento Mecânico Dados
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
