IMAGEM DO PRODUTO01 / GALERIA
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-BT152-500RT SCR BT152-500RT TO-220 de alta resistência a surtos de corrente
✓Informações técnicas do produto✓Suporte à seleção com foco na aplicação✓Catálogo e consulta com base na necessidade
E-mailinfo@yzpst.net
Telefone+86 138 0527 8321
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
CENTRO DE DOCUMENTOS
Downloads e arquivos técnicos
YZPST-BT152-500RT
- Características do produto
Dispositivo unilateral de silício, estrutura de quatro camadas NPNP,
P+ na isolação por difusão passante,
Estrutura de mesa simples (Single Mesa),
Processo de passivação com vidro de mesa,
Metal do eletrodo traseiro (ânodo): Ti-Ni-Ag
Alta capacidade de resistência a picos de corrente
●Principais aplicações
Interruptor de corrente alternada,
Conversor de potência AC/DC,
Controle de aquecimento elétrico
Controle de velocidade de motor
● Embalagem
TO-220M1 TO-220F
.jpg)
Características principais (Tj=25℃)
| Símbolo | Valor | Unidade |
| IT (RMS) | 20 | A |
| VDRM VRRM | 600/800 | V |
| IGT | ≤200 | uA |
Valores absolutos máximos (valores limite)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| IT (RMS) | Corrente RMS em condução (180 °ângulo de condução) | 20 | A |
| IT(AV) | Corrente média em estado ligado (AV) (180 °ângulo de condução) | 13 | A |
| ITSM | Pico de corrente de surto não repetitivo em condução | 200 | A |
| Corrente (tp=10 ms) | |||
| IGM | Corrente de gate de pico (tp=20us) | 4 | A |
| PGM | Potência de pico de gate | 5 | W |
| PG(AV) | Potência média do gate | 1 | W |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | 110 | ℃ |
| Tj | Operação junção temperatura | 85 |
Resistências térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
| TO-220M1 | 2.2 | |||
| Rth (j-c) | Junção para a caixa | TO-220F | 2.5 | ℃/W |
Características elétricas (Tj=25℃ salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | |||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=33Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
| VGT | VD=12 V, RL=33Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| IA | IT=500mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
| IL | IG=1,2IGT | ----- | ----- | 60 | mA | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃ | 500 | v/ μs | |||
| ----- | ----- | |||||
| VTM | IT=30A,tp=380 μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| dI/dt | IG=2IGT | 50 | ----- | ----- | A/μs | |
| I2T | Tp=10ms | ----- | ----- | 200 | A2S | |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IRRM | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Medida da embalagem
((TO--220F))
Nenhum conteúdo adicional do produto está disponível.
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
Siga a YZPST
