YZPST-S3025-12C

ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Armazenamento junção  temperatura faixa

Tstg

-40 ~ 150

℃

Operação junção temperatura faixa

Tj

-40~ 125

℃

Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio(T =25℃)

VDRM

1200

V

Tensão repetitiva de pico reversa (T =25℃)

VRRM

1200

V

Tensão de estado bloqueado de pico de surto não repetitivoidade

VDSM

VDRM +100

V

Não repetitivo pico reverso tensão

VRSM

VRRM +100

V

Corrente RMS em condução

IT(RMS)

30

A

Corrente de pico de surto não repetitiva em condução

(180° ângulo de condução, F=50 Hz)

ITSM

300

A

Corrente média em condução (180° ângulo de condução)

IT(AV)

19

A

I2valor t para fusão (tp= 10ms)

I2t

450

A2 S

Taxa crítica de de subida de on-de condução corrente do coletor

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Pico da gate corrente do coletor

IGM

4

A

Dissipação média de potência da gate

PG(AV)

1

W

Resistências térmicas

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

Rth(j-c)

Junção para a caixa

0.80

℃/W

Rth(j-a)

junção ao ambiente

60

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

IGT

VD = 12V

MAX.

25

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃

MÍN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

180

mA

IA

IT=500mA

MAX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Aberto  Tj=125℃

MÍN.

500

V/μs