YZPST-BTA12-800BW
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-BTA12-800BW
Estrutura de mesa única BTA12-800BW triac 800V TO-220A
●Características do produto
Estrutura mesa simples (Single Mesa),
Processo de passivação com vidro de mesa,
Estabilidade de tensão
Capacidade de resistir a fortes picos de corrente
Modelo aplicável: BTA12
Principais aplicações
Máquina de lavar, alisador de cabelo
Relé de estado sólido, controle de velocidade de motor AC
●Embalagem
TO-220A
Características principais (Tj=25℃)
Símbolo | Valor | Unidade |
IT (RMS) | 12 | A |
VDRM / VRRM | 600/800 | V |
VTM | 1.55 | V |
Valores absolutos máximos (valores limite)
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
ITSM | Pico de corrente de surto não repetitivo em condução Corrente (tp=10 ms) | 115 | A |
I²t | (tp=10 ms) | 70 | A²s |
dI/dt | IG=2IGT，tr≤100 ns, Tj=125℃ | 50 | A/ μs |
IGM | Corrente de gate de pico (tp=20 µs) | 4 | A |
PG(AV) | Potência média do gate | 1 | W |
Tstg Tj | Temperatura de armazenamento Temperatura de junção em operação | -40--+150 -40--+125 | ℃ |
Resistências térmicas
| Símbolo | ||||
| Parâmetro | Valor | Unidade | ||
| TO-220A | 2.3 | |||
| Rth (j-c) | Junção para a caixa | TO-220B/TO-220C | 1.4 | ℃/W |
| TO-220F | 3.9 |
Características elétricas (Tj=25℃ salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | ||||||
| TW | SW | CW | BW | C | B | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=30Ω | ⅠⅡⅢ | ≤5 | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA |
| Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤50 | ≤100 | |||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| IRRM | VD=VRRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| ⅠⅢ | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤70 | ≤40 | ≤50 | |||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤40 | ≤50 | mA |
| Ⅱ | ≤15 | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ≤80 | ≤100 | |||
| VGT | VD=12V ,RL=30Ω | ≤1.3 | V | ||||||
| VGD | VD=VDRM, Tj=125℃RL=3.3KΩ | ≥0.2 | V | ||||||
| VTM | ITM=17A,tp=380 μs | 1.55 | V | ||||||
| IA | VD=12V ，IT=200mA | ≤20 | ≤25 | ≤35 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, | ≥40 | ≥ | ≥ | ≥ 1000 | ≥ | ≥400 | v/ μs | |
| GateOpen, Tj=125℃ | 100 | 400 | 200 | ||||||
Medida de encapsulamento
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
