Símbolo

Valor

Unidade

Eu _T(RMS)

31

A

V _DRM V _RRM

1200

V

Eu _GT

35

m A

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

Tstg

-40 ~150

°C

Faixa de temperatura de junção de operação

Tj

-40~125

°C

Tensão de pico repetitiva em estado desligado (T =25℃)

V _DRM

1200

V

Tensão reversa de pico repetitiva (T =25℃)

V _{R RM}

1200

V

Tensão de pico não repetitiva de surto em estado desligado

V _DSM

V _DRM +100

V

Tensão reversa de pico não repetitiva

V _{R SM}

V _{R RM} +100

V

RMS corrente de estado ligado (T = 100 °C)

Eu _T(RMS)

31

A

Corrente de pico não repetitiva de estado ligado

Eu _TSM

300

A

Corrente média de estado ligado (ângulo de condução de 180°)

Eu _T(AV)

20

A

Eu ² Valor de tempo para fusão (tp=10ms)

Eu ² t

450

A ² S

Taxa crítica de aumento da corrente de estado ligado

(I =2×IGT , tr ≤ 100 ns )

dI/dt

5 0

A/ S

Corrente de pico do portão

Eu _GM

4

A

Dissipação média de potência do portão

P _G(AV)

1

W

Símbolo

Condição de Teste

Valor

Unidade

Eu _GT

V =12V R =140Ω

MÁX.

35

m A

V _GT

MÁX.

1.3

V

V _GD

V _D =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

MÍN.

0. 2

V

Eu _L

Eu _G =1.2I _GT

MÁX.

75

mA

Eu _H

IT=50mA

MÁX.

50

mA

dV/dt

V _D =2/3V _DRM Portão Aberto Tj=125℃

MÍN.

500

V/μs

Símbolo

Parâmetro

Valor(MÁX.)

Unidade

V _TM

Eu _TM = 40 A tp=380μs

Tj =25℃

1,65

V

Eu _DRM

V _D =V _DRM V _R =V _RRM

Tj =25℃

20

μA

Eu _RRM

Tj =125℃

4

mA

Símbolo

Parâmetro

Valor(MÁX.)

Unidade

Rth(j-a)

junction to ambiente(DC)

60

℃/W

Rth(j- c )

Junção ao caso (CC)

1.0