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YZPST-S2035 20A SCR
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-S2035
20A SCRs
DESCRIÇÃO:
Tiristores passivados a vidro em encapsulamento plástico. A série S2035 de SCRs é adequada para todos os modos de controle, encontrada em aplicações como proteção crowbar contra sobretensão, circuitos de controle de motor em ferramentas elétricas e eletrodomésticos de cozinha, circuitos de limitação de corrente de irrupção, ignição por descarga capacitiva, controle suave de motores AC e circuitos de regulação de tensão…
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
Símbolo | Valor | Unidade |
IT(RMS) | 31 | A |
VDRMVRRM | 1200 | V |
IGT | 35 | mA |
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção em operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio (T=25℃) | VDRM | 1200 | V |
Tensão reversa repetitiva de pico (T=25℃) | VRRM | 1200 | V |
Tensão de pico de bloqueio em estado desligado não repetitiva | VDSM | VDRM+100 | V |
Tensão reversa de pico não repetitiva | VRSM | VRRM+100 | V |
Corrente RMS em estado ligado (T =100℃) | IT(RMS) | 31 | A |
Corrente de pico de surto não repetitiva em condução
| ITSM | 300 | A |
Corrente média em estado ligado (ângulo de condução de 180°) | IT(AV) | 20 | A |
I2Valor de t para fusão (tp=10ms) | I2t | 450 | A2S |
Taxa crítica de aumento da corrente em estado de condução (I = 2×IGT, tr≤ 100 ns) | dI/dt | 50 | A/μS |
Corrente de pico de gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 1 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário)
Símbolo | Condição de teste |
| Valor | Unidade |
IGT | V =12V R =140Ω | MÁX. | 35 | mA |
VGT | MÁX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRMTj=125℃ R=1KΩ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG=1,2IGT | MÁX. | 75 | mA |
IA | IT=50mA | MÁX. | 50 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRMGate aberto Tj=125℃ | MÍN. | 500 | V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Símbolo | Parâmetro | Valor (MÁX.) | Unidade | |
VTM | ITM =40A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.65 | V |
IDRM | VD=VDRMVR=VRRM
| Tj =25℃ | 20 | μA |
IRRM | Tj =125℃ | 4 | mA | |
Resistências térmicas
Símbolo | Parâmetro | Valor (MÁX.) | Unidade |
Rth(j-a) | junção para ambiente (DC) | 60 | ℃/W |
Rth(j-c) | Junção para a caixa (DC) | 1.0 |
TO-220M1Dados mecânicos do encapsulamento
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
