MOSFET de potência de canal P, tipo trench, 100V R100P11A em TO-252
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Parâmetro | Valor | Unidade |
VDS | -100 | V |
RDS(ON)_TYP | 156 | mΩ |
ID | -11 | A |
QG | 42.5 | nC |
Símbolo | Parâmetro | Limite | Unidade |
VDS | Tensão dreno-fonte (VGS=0V) | -100 | V |
VGS | Tensão gate-fonte (VDS=0V) | ±20 | V |
ID | Corrente de dreno contínua (TC=25℃) | -11 | A |
Corrente de dreno contínua (TC100℃) | -6.7 | A | |
IDM (pulso) | Corrente de dreno contínua @ CCorrente de dreno pulsada (Nota 1) | -44 | A |
PD | Máximo Dissipação de potência (TC=25℃) | 48 | W |
Máximo Dissipação de potência (TC100℃) | 19 | W | |
EAS | Energia de avalanche (Nota 2) | 72 | mJ |
TJ, TSTG | Junção de operação etemperatura de armazenamento Faixa | -55 a 150 | ℃ |
Tabela 2. Características térmicasra
Símbolo | Parâmetro | Típ. | Máx. | Unidade |
RθJC | Térmica Resistência, junção-carcaça |
| 2.6 | ℃/W |
TO-252 Encapsulamento Informações
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