ABSOLUTO MÁXIMO CLASSIFICAÇÕES

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

Tstg

-40 ~ 150

°C

Faixa de temperatura de junção de operação

Tj

-40 ~ 125

°C

Tensão repetitiva de pico de estado desligado (T =25°C)

VDRM

1600

V

Tensão de pico reversa repetitiva (T =25℃)

VRRM

1600

V

Tensão de pico não repetitiva de bloqueio

VDSM

VDRM +100

V

Tensão de pico reversa não repetitiva

VRSM

VRRM +100

V

Corrente eficaz de estado ligado (T = 110℃)

TI (RMS)

35

A

Corrente de pico no estado ligado não repetitiva

(Ângulo de condução de 180°, F=50Hz)

ITSM

300

A

Corrente média no estado ligado (Ângulo de condução de 180°)

IT(AV)

23

A

Valor I2t para fusão (tp=10ms)

I2t

450

A2 S

Taxa crítica de aumento da corrente de estado ligado

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Corrente de porta de pico

IGM

4

A

Potência média de dissipação do portão

PG(AV)

1

W

Resistências Térmicas

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

Rth(j-c)

Junção ao caso (DC)

2.5

℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

IGT

V = 12V R = 140Ω

MÁX.

30

mA

VGT

MÁX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃

MIN.

0.2

V

IL

IG=1.2IGT

MÁX.

160

mA

IH

IT=500mA

MÁX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃

MIN.

500

V/μs