YZPST-S3530

ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

Tstg

-40 ~ 150

℃

Faixa de temperatura de junção de operação

Tj

-40~ 125

℃

Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio (T =25℃)

VDRM

1600

V

Tensão reversa repetitiva de pico (T=25℃)

VRRM

1600

V

Tensão de pico de bloqueio em estado desligado não repetitiva

VDSM

VDRM +100

V

Tensão de pico reversa não repetitiva

VRSM

VRRM +100

V

Corrente eficaz em estado ligado (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Corrente de pico de surto não repetitiva em condução

(ângulo de condução de 180°, F=50Hz)

ITSM

300

A

Corrente média em condução (ângulo de condução de 180°)

IT(AV)

23

A

Valor I2t para fusível (tp= 10ms)

I²t

450

A2 S

Taxa crítica de variação de subida da corrente em estado ligado

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Corrente de pico do gate

IGM

4

A

Dissipação média de potência da gate

PG(AV)

1

W

Resistências térmicas

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

Rth(j-c)

Junção-cápsula (CC)

2.5

℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

IGT

V = 12V R = 140Ω

MÁX.

30

mA

VGT

MÁX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj= 125℃

MÍN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MÁX.

160

mA

IH

IT=500mA

MÁX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Aberta Tj=125℃

MÍN.

500

V/μs