YZPST-100-8

✓Informações técnicas do produto✓Suporte à seleção com foco na aplicação✓Catálogo e consulta com base na necessidade

Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.

CENTRO DE DOCUMENTOS

ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES
PParâmetro	Ssímbolo	Vvalor	VUnid
junção de armazenamentojunção temperatura faixa	Tstg	-40 ~ 150	℃
Operação junção temperatura faixa	Tj	-40~ 125	℃
repetitivo surto pico Desligado-de condução tensão	VDRM	900	V
repetitivo tensão de pico reversa	VRRM	900	V
RMS on-de condução corrente do coletor	IT(RMS)	1.0	A
Não repetitivo surto pico on-de condução corrente( 180° condução ângulo, F50Hz,t=10ms/60Hz,8 3ms)	ITSM	12	A
I2valor t para fusão (tp= 10ms)	I2t	0.72	A2S
Taxa crítica de de subida de on-de condução corrente do coletor (I =2×IGT, tr≤ 100ns)	di/dt	50	A/μS
Peak porta corrente do coletor	IGM	0.5	A
Médio dissipação de potência do gate	PG(AV)	0.1	W
Máximo ddispositivo temperatura para propósitos de soldagem (para 10 segundos mmáximo)	TL	260	℃
nível ESDnível	ABM	Classe3 (4000-16000V)
Umidade sensível nível	MSL	Três-nível (30℃,60%UR,168h)

ELÉTRICO CARACTERÍSTICAS (T=25℃salvo indicação especificado)
Ssímbolo	Teste Condição	Vvalor			UUnid
Ssímbolo	Teste Condição	MlV	TÍP.	MAX	UUnid
IGT	V = 12V R = 140Ω	20	40	120	4A
VGT	V = 12V R = 140Ω	-	-	1 0	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃R= 1KΩ	0.2	-	-	V
IL	IG= 1,2IGT	-	-	6	mA
IA	IT=50mA	-	-	5	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Gate Aberto Tj=125℃	50	-	-	V/ μs