YZPST-300HF120TK-G2

YZPST-300HF120TK-G2

Módulo IGBT de 300A 1200V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito autolimitada
CHIP IGBT (tecnologia Trench + Field Stop)
VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
Comutação rápida e curta corrente de cauda, baixas perdas de comutação
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
Sensoriamento de temperatura incluso
APLICAÇÕES
Aplicações de comutação em alta frequência
Aplicações médicas
Controle de movimento/servo
Sistemas UPS

MÁXIMO ABSOLUTO VALORES TC=25°C salvo indicação em contrário especificado

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Valores	Unidade
IGBT
VCES	Tensão coletor-emissor	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tensão gate-emissor		±30	V
IC	Corrente contínua do coletor	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
ICM	Corrente de pico repetitiva do coletor	tp=1 ms	600	A
Ptot	Dissipação de potência por IGBT		2083	W
Diodo
VRRM	Tensão reversa repetitiva	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Corrente média direta	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
IFRM	Corrente direta de pico repetitiva	tp=1 ms	600	A

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICASTC=25°C, salvo indicação em contrário

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste			Mín.	Típ.	Máx.	Unidade
IGBT
VGE(th)	Gate - Emissor Limiar Tensão	VCE=VGE, IC=2.0mA			5.0		6.8	V
VCE(sat)	Coletor - emissor	IC=300A, VGE=15V, TVj=25°C				2.2	2.6	V
	Tensão de saturação	IC=300A, VGE=15V, TVj=125°C				2.65		V
ICES	Corrente de fuga do coletor	VCE=1250V, VGE=0V, TVj=25°C					1	mA
		VCE=1250V, VGE=0V, TVj=125°C					5	mA
Rgint	Resistor de gate integrado	Por chave				5		Ω
IGES	Corrente de fuga de gate	VCE=0V,VGE±15V, TVj=125°C			-500		500	nA
Cies	Capacitância de entrada	VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz				21.3		nF
Cres	Capacitância de transferência reversa					1.42		nF
td(on)	Tempo de atraso de ligação	VCC=600V,IC=300A,		TVj=25°C		393		ns
		RG =3.3Ω,		TVj=125°C		395		ns
tr	Tempo de subida	VGE=±15V,		TVj=25°C		130		ns
		Carga indutiva		TVj=125°C		135		ns
td(off)	Tempo de atraso de desligamento	VCC=600V,IC=300A,		TVj=25°C		570		ns
		RG =3.3Ω,		TVj=125°C		600		ns
tf	Tempo de descida	VGE=±15V,		TVj=25°C		145		ns
		Carga indutiva		TVj=125°C		155		ns
Eon	Energia de ligação	VCC=600V,IC=300A,		TVj=25°C		7.7		mJ
		RG =3.3Ω,		TVj=125°C		14.5		mJ
Edesligado	Energia de desligamento	VGE=±15V,		TVj=25°C		26.3		mJ
		Carga indutiva		TVj=125°C		33.5		mJ
ISC	Corrente de curto-circuito	tpsc≤10µS , VGE=15V TVj=125°C,VCC=900 V				2100		A
RthJC	Resistência térmica junção-caso(por IGBT)						0.07	K /W
Diodo
VF	Tensão direta	IF=300A , VGE=0V, TVj=25°C				1.82	2.25	V
		IF=300A , VGE=0V, TVj=125°C				2.0		V
Qrr	Carga reversa	IF=300A , VR=600V				40		uC
IRRM	Corrente máxima de recuperação reversa	diF/dt=-2360A/μs				250		A
Erec	Energia de recuperação reversa	TVj=125°C				18.5		mJ
RthJCD	Resistência térmica junção-caso		(por diodo)				0.12	K /W

DESENHO DA EMBALAGEM

Para mais informações sobreYZPST-300HF120TK-G2faça o download do arquivo PDF acima com o nome "YZPST-300HF120TK-G2"