YZPST-FM3N150C
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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MOSFET de canal N de 1500 V
YZPST-FM3N150C
Descrição geral
Este MOSFET de potência é produzido com tecnologia planar avançada de autoalinhamento. Essa tecnologia avançada foi especialmente desenvolvida para minimizar a resistência em condução, proporcionar desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo avalanche e no modo de comutação.
Esses dispositivos podem ser usados em vários circuitos de comutação de potência para miniaturização do sistema e maior eficiência.
Características
3A, 1500V, RDS(on) típico = 5Q @ VGS = 10 V Id = 1,5A
Baixa carga de gate (típico 9,3 nC)
Baixa carga de gate (típico 2,4 pF)
Comutação rápida
100% testado em avalanche
Valores máximos absolutosTc = 25 °C, salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | JFFM3N150C | Unidades | |
| Vdss | Tensão dreno-fonte | 1500 | V | |
| Id | Corrente de dreno | Contínua (Tc = 25 °C) | 1.8 | A |
| Contínua (Tc = 100 °C) | 1.2 | A | ||
| Idm | Corrente de dreno - pulsada (Nota 1) | 12 | A | |
| Vgss | Tensão gate-fonte | ±30 | V | |
| EAS | Energia de avalanche em pulso único (Nota 2) | 225 | mJ | |
| dv/dt | dv/dt de recuperação de pico do diodo (Nota 3) | 5 | V/ns | |
| Pd | Dissipação de potência (Tc = 25 °C) | 30 | W | |
| Tj, Tstg | Faixa de temperatura de operação e armazenamento | -55 a +150 | °C | |
| Tl | Temperatura máxima dos terminais para fins de soldagem | 300 | °C | |
| 1/8〃 da carcaça por 5 segundos | ||||
Características térmicas
| Símbolo | Parâmetro | JFFM3N150C | Unidades |
| Raic | Resistência térmica, junção-carcaça | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Resistência térmica, junção-ambiente | 62.5 | °C/W |
Características elétricasTc=25 °C salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín | Tip | Máx | Unidades |
| Características no estado desligado | ||||||
| BVdss | Tensão de ruptura dreno-fonte | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | ― | — | V |
| / BVdss/ | Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura | Id = 250 uA, referenciado a | -- | 1.3 | -- | V/°C |
| 』Tj | 25 °C | |||||
| Corrente de dreno com tensão de gate zero | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Corrente de fuga gate-corpo, direta | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Corrente de fuga gate-corpo, reversa | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Características no estado ligado | ||||||
| VGS(th) | Tensão limiar da porta | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Resistência estática dreno-fonte em condução | Vgs = 10 V,Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transcondutância direta | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Nota | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Características dinâmicas | ||||||
| Ciss | Capacitância de entrada | Vds = 25 V,Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacitância de saída | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacitância de transferência reversa | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Resistência de porta | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Características de comutação | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 34 | ns | |||
| tr | Tempo de subida de ligação | Vds = 750 V,Id=3.0A/ Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Tempo de atraso de desligamento | 100 ,Vgs 10 V (Nota 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Tempo de queda no desligamento | 27 | ns | |||
| Qe | Carga total do gate | Vds = 750 V,Id =3,0 AVgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Carga gate-source | 10 V (Nota 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Carga gate-drain | 5.3 | nC | |||
| Características e classificações máximas do diodo dreno-fonte | ||||||
| Is | Corrente direta contínua máxima do diodo dreno-fonte | — | — | 3 | A | |
| Ism | Corrente direta pulsada máxima do diodo dreno-fonte | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Tensão direta do diodo dreno-fonte | Vgs = 0 V, Is = 3,0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa | Vgs = 0 V, Is = 3,0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Carga de recuperação reversa | diF/dt = 100 A/us ( Nota | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Observações:
1. Classificação repetitiva: largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção
2. L= 10,0 mH, Ias = 6,7 A, Rg = 25Q, Tj inicial = 25°C
3. Isd < 3,0 Azdi/dt < 100 A/us, Vdd < BVdss, Tj inicial = 25°C
4. Teste pulsado: largura de pulso < 300 uszCiclo de trabalho <2%
5. Essencialmente independente da temperatura de operação
Para mais informações sobreYZPST-FM3N150Cpor favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YZPST-FM3N150C"
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