YZPST-G15N65T
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Temperatura máxima de junção 150°C
Alta tensão de ruptura de até 650 V para maior confiabilidade
Classificado para curto-circuito
Tensão de saturação muito baixa:
VCE(SAT) = 1,65 V (típ.) @ IC = 15 A
Formas de onda de desligamento suave da corrente
VCE | 650 | V |
IC | 15 | A |
VCE(SAT) IC=15A | 1.65 | V |
Aplicações de comutação suave
Ar-condicionado
Inversor de acionamento de motor
Produto | Encapsulamento | Embalagem |
YZPST-15N65T1 | TO-220 | Tubo |
YZPST-15N65T1 | TO-263 | Tubo |
YZPST-15N65T1 | TO-220F | Tubo |
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão de ruptura coletor-emissor | VCE | 650 | V |
Corrente contínua de coletor, limitada por Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IC |
30
15
| A |
Corrente direta do diodo, limitada por Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IF |
30
15
| A |
Tensão contínua gate-emissor | VGE | ±20 | V |
Tensão transitória gate-emissor | VGE | ±30 | V |
Área de operação segura na desativação VCE ≤650V, Tj ≤ 150°C | - | 60 | A |
Corrente de coletor pulsada, VGE=15V, tp limitada por Tjmax | ICM | 45 | A |
Tempo de suportabilidade a curto-circuito, VGE= 15V, VCE≤ 400V | Tsc | 5 | μs |
Dissipação de potência TO-220F, Tj=25℃ | Ptot | 27 | W |
Dissipação de potência TO-220, TO-263, Tj=25℃ | Ptot | 105 | W |
Temperatura de junção de operação | Tj | -40...+150 | °C |
Temperatura de armazenamento | Ts | -55...+150 | °C |
Temperatura de soldagem, soldagem por onda a 1,6 mm (0,063 pol.) do encapsulamento por 10 s | - | 260 | °C |
Resistência térmica
Parâmetro | Símbolo | TO-220, TO-263 | TO-220F | Unidade |
Resistência térmica do IGBT, junção - encapsulamento | Rθ(j-c) | 1.2 | 4.9 | K/W |
Resistência térmica do diodo, junção - encapsulamento | Rθ(j-c) | 2.38 | 5.8 | K/W |
Resistência térmica, junção - ambiente | Rθ(j-a) | 62.5 | K/W | |
Características elétricas do IGBT（Tj= 25℃ salvo indicação em contrário）
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Tip. | Máx. | Unidades |
Características estáticas (testadas em wafers) | ||||||
BVCES | Ruptura coletor-emissor Tensão | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | - | - | V |
VCE(SAT) | Saturação coletor-emissor Tensão | IC = 15A, VGE = 15V | - | 1.65 | 1.95 | V |
VGE(th) | Tensão de limiar G-E | VGE = VCE, IC = 250μA | 4.1 | 5.0 | 5.7 | V |
ICES | Corrente de corte do coletor | VCE = 650V, VGE = 0V | - | - | 25 | μA |
IGES | Corrente de fuga G-E | VGE = ±20V, VCE = 0V | - | - | ±200 | nA |
gfs | Transcondutância | VCE=20V, IC=15A | - | 10 | - | S |
Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Tipo | Máx. | Unidade |
Dinâmica | ||||||
Capacitância de entrada | Cies | VCE = 25V, VGE = 0V, | - | 990 | - | pF |
Capacitância de saída | Coes | - | 56 | - | ||
Capacitância de transferência reversa | Cres | - | 30 | - | ||
Carga de gate | QG | VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V | - | 92 | - | nC |
Corrente de coletor em curto-circuito | IC（SC） | VGE=15V,tSC≤5us VCC=400V, | - | 98 | - | A |
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Tip. | Máx. | Unidade |
Dinâmica | ||||||
Tempo de atraso de ligação | td(on) | Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A, VGE = 0/15V, Rg=12Ω | - | 15 | - | ns |
Tempo de subida | tr | - | 25 | - | ns | |
Tempo de atraso de desligamento | td(off) | - | 60 | - | ns | |
Tempo de queda | tf | - | 46 | - | ns | |
Energia de ligação | Eon | - | 0.75 | - | mJ | |
Energia de desligamento | Eoff | - | 0.1 | - | mJ | |
| Parâmetro | Símbolo | Condições | Mín. | Tipo | Máx. | Unidade |
Dinâmica | ||||||
Tensão direta do diodo | VFM | IF = 15A | - | 1.7 | - | V |
Tempo de recuperação reversa | Trr | IF= 15A VR = 300V, | - | 50 | - | ns |
Corrente de recuperação reversa | Irr | - | 4 | - | A | |
Carga de recuperação reversa | Qrr | - | 83 | - | nC | |
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