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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
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Módulo IGBT 1200V 100A P/N:YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
Características:
1200V100A, VCE(sat) (tip.)=3,0V projeto de baixa indutância
Menores perdas e maior energia
Velocidade de comutação ultrarrápida
Excelente robustez contra curto-circuito
Aplicações gerais:
Inversor auxiliar
Aquecimento e soldagem por indução
Sistemas UPS
Características Máximas Absolutas do IGBT
| VCES | Tensão coletor-emissor | 1200 | V | |
| VGES | Tensão contínua entre gate e emissor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corrente contínua do coletor | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corrente de Coletor de Pulso | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Dissipação Máxima de Potência (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | µs | ||
| Tempo de Suportabilidade a Curto-Circuito | ||||
| Temperatura máxima da junção do IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Faixa Máxima de Temperatura de Operação da Junção | -40 a +150 | °C | ||
| Tstg | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +125 | °C | |
| VRRM | Tensão Reversa de Pico Repetitiva Dados Preliminares | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corrente contínua direta do diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente Máxima Direta do Diodo | 200 | A | |
Características Máximas Absolutas do Diodo de Roda Livre
| VRRM | Tensão reversa de pico repetitiva — dados preliminares | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corrente contínua direta do diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente Máxima Direta do Diodo | 200 | A | |
Características de Comutaçãodo IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Tempo de atraso na ativação | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Tempo de subida na ativação | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Tempo de atraso no desligamento | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Tempo de Queda no Desligamento | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Perda de comutação na ativação | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5,6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Perda de Comutação no Desligamento | VGE = ±15V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Carga total de gate | Carga indutiva | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Resistor de gate integrado | f = 1M; | TJ = 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacitância de entrada | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitância de saída | VGE = 0V | TJ = 25°C | 1.35 | nF | ||
| Cres | Transferência reversa | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| Capacitância | |||||||
| RθJC | Resistência Térmica, Junção ao Encapsulamento (IGBT) | 0.29 | °C/W | ||||
Encapsulamento Dimensão
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