YZPST-QM3N150C MOSFET de canal N de 1500V com comutação rápida

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Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.

CENTRO DE DOCUMENTOS

MOSFET de canal N de 1500 V

YZPST-QM3N150C

Descrição geral

Este MOSFET de potência é produzido com tecnologia planar avançada

autoalinhada. Essa tecnologia avançada foi especialmente desenvolvida para minimizar

a resistência em condução, proporcionar desempenho superior de comutação

e suportar pulsos de alta energia em modo

de avalanche e comutação.

modo avalanche e de comutação.

Esses dispositivos podem ser usados em diversos circuitos de comutação de potência

para miniaturização do sistema e maior eficiência.

Características

3 A, 1500 V, RD5(on) típ. = 50 @VGS= 10 V Id=1,5 A

Baixa carga de gate (típica 37 nC)

Baixa capacitância de transferência reversa (típica 2,8 pF)

Comutação rápida

100% testado contra avalanche

Valores absolutos máximos Tc=25, salvo indicação em contrário

Símbolo	Parâmetro		YZPST-QM3N150C	Unidades
Voss	Tensão dreno-fonte		1500	V
Io	Corrente de dreno	Contínuo (Tc=25℃)	3	A
Io	Corrente de dreno	Contínuo (Tc=100℃)	1.8	A
IoM	Corrente de dreno - pulsada (Nota 1)		12	A
VGss	Tensão gate-fonte		±30	V
EAS	Energia de avalanche pulsada única (Nota 2)		225	mJ
dv/dt	dv/dt de recuperação do diodo de pico (Nota 3)		5	V/ns
Po	Dissipação de potência (Tc=25℃)		32	W
T, Tsts	Faixa de temperatura de operação e armazenamento		-55 a +150	℃
Tt	Temperatura máxima do terminal para soldagem 1/8" a partir da carcaça por 5 segundos		300	℃