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YZPST-BTA06-600BW TRIAC de 6A, 600V, alta taxa dv/dt BTA06-600BW
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Série BTA06/BTB06 de triacs 6A
YZPST-BTA06-600BW
TRIAC de 6A, 600V, alta taxa dv/dt BTA06-600BW
DESCRIÇÃO:
Com alta capacidade de suportar choques de corrente elevada, os triacs da série BTA06/BTB06 oferecem alta taxa dv/dt e forte resistência à interferência eletromagnética.
Com alto desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para uso em carga indutiva. Em relação aos três terminais e ao dissipador externo, o BTA06 oferece tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS, em conformidade com as normas UL.
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
ABSOLUTOS MÁXIMOS CLASSIFICAÇÕES:
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão de bloqueio de pico repetitiva em estado desligado (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 6 | A |
Corrente de pico em condução em surto não repetitiva (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 18 | A2s |
Taxa crítica de aumento da corrente no estado ligado (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Corrente de pico do gate | IGM | 2 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
3 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||||
| Condição de teste | Quadrante | TW | SW | CW | BW | Unidade | ||
| IGT | VD=12 V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IA | IT100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
4 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | C | B | Unidade | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1,2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | |||
| TO-220A(Isolado） | 3.4 | |||
| TO-220B(Não isolado） | 2.2 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | junção a case(CA) | TO-220F(Isolado） | 3.2 | |
EMBALAGEM DADOS MECÂNICOS
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
