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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-RD060120H
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Diodo Schottky SiC de 1200 V
YZPST-RD060120H
Características
Tensão de recuperação direta zero
Corrente de recuperação reversa zero
Excelente capacidade de corrente de surto
Comutação independente da temperatura
Coeficiente de temperatura positivo em VF
Operação em alta frequência
Benefícios
Substitui retificadores bipolares por unipolares
Praticamente sem perdas de comutação
Alta eficiência
Redução das necessidades de dissipador de calor
Dispositivos em paralelo sem fuga térmica
Aplicação
Dispositivos em paralelo sem fuga térmica
Correção do fator de potência
Inversores CC-CA
Inversores CC-CC
Parâmetro | Valor | Unidade |
VRRM | 1200 | V |
IF（TC =145℃) | 60 | A |
QC | 306 | nC |
Parâmetro | Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade |
Repetitivo Pico Tensão reversa | VRRM |
| 1200 | V |
Corrente direta | IF | TC =25℃ TC =145℃ | 155 60 | A |
Não repetitivo Surto diretoge Corrente | IFSM | TC =25°C, tp =10ms, Meia onda senoidal | 450 | A |
Potência Dissipação | Ptot | TC =25℃, Tj =175℃ | 535 | W |
Operação e Armazenamento Temperatura | Tj, Tstg |
| -55 a +175 | ℃ |
TO-247-2L Encapsulamento Dimensões
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
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