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YZPST-BTA06-600SW
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-BTA06-600SW
Triac BTA06 600SW de 6A com alto desempenho de comutação TO-220
BTA06/BTB06 Série 6A Triacs
DESCRIÇÃO:
Com alta capacidade de suportar choques de corrente elevada, os triacs da série BTA06/BTB06 oferecem alta taxa dv/dt e forte resistência à interferência eletromagnética.
Com alto desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para uso em carga indutiva. Em relação aos três terminais e ao dissipador externo, o BTA06 oferece tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS, em conformidade com as normas UL.
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS:
ssímbolo | valore | uUnid |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤ 1.5 | V |
ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES:
Parâmetro | Ssímbolo | Valore | VUnid |
Faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | C |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~125 | C |
Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio (Tj=25C) | VDRM | 600/800 | V |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25C) | VRRM | 600/800 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 6 | A |
Corrente de pico de surto não repetitiva em condução (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
FICHA TÉCNICA DO PRODUTO
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 18 | A2s |
Taxa crítica de elevação da corrente em condução (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corrente de gate de pico | IGM | 2 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 5 | W |
ELÉTRICAS CARACTERÍSTICAS(Tj=25C, salvo indicação em contrário)
3 Quadrantes：
| Parâmetro | Valore | |||||||
| Ensaio Condição | Qquadrante | TW | SW | CW | BW | VUnid | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0 2 | V | |||
| IA | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | mA | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125CGate open | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 Quadrantes：
| Parâmetro | Valore | |||||
| Ensaio Condição | Qquadrante | C | B | VUnid | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
| Ssímbolo | Ensaio Condição | Valore | VUnid | |
| Rth(j-c) | junção a case(CA) | TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | C/W |
| TO-220A(Ins) | 3.4 | |||
| TO-220B(Não-Ins) | 2.2 | |||
| TO-220F(Ins) | 3.2 | |||
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
