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YZPST-KP1000A6500V
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-KP1000A/6500V
THYRISTOR DE ALTA POTÊNCIAPARA CONTROLE DE FASE APLICAÇÕES
Características:
. Todas Estrutura difusare
. Gate amplificador centralConfiguração
. Garantido Tempo máximo de desligamento
. Alta dV/dt capacidade
. Montado por pressão Dispositivoce
Bloqueio - estado desligado
VRRM ( 1) | V DRM ( 1) | VRSM ( 1) |
6500 | 6500 | 6600 |
VRRM = Tensão inversa de pico repetitiva
VDRM = tensão de pico repetitiva em estado desligado
VRSM = tensão de pico reversa não repetitiva (2)
Observações:
Todos os valores nominais são especificados para Tj=25 °C, salvo
salvo indicação em contrário.
(1) Todos os valores de tensão são especificados para uma forma de onda senoidal aplicada de 50Hz/60zHz ao longo do
intervalo de temperatura de -40 a +125 °C.
(2) largura máxima de pulso de 10 ms
(3) valor máximo para Tj = 125 °C.
(4) valor mínimo para formas de onda linear e exponencial
até 80% do VDRM nominal. Gate aberto.
Tj = 125 °C.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di/dt é estabelecido em
conformidade com a norma EIA/NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria adicional ao obtido de um circuito snubber, composto por um capacitor de 0.2 μF e resistência de 20 ohms em paralelo com o tiristor
em teste.
Corrente de fuga de pico reversa repetitiva e em estado desligado | IRRM / IDRM | 40 mA 200mA (3) |
Taxa crítica de elevação da tensão | dV/dt (4) | 1000 V/μs |
Condução - estado conduzindo
| Parâmetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condições |
| Valor médio máximo em condução corrente do coletor | IT(AV) | 1000 | A | Senoide, 180o condução TC=70oC | ||
| Valor RMS em condução corrente do coletor | ITRMS | 1650 | A | Valor nominal | ||
| Pico único ciclo de trabalho | ITSM | 18 | kA | 10.0 ms (50Hz), senoidal onda- forma, 180o condução, Tj = 125 oC | ||
| (não repetitivo) corrente do coletor | ||||||
| I quadrada t | I2t | 1620 | kA2s | |||
| Corrente de travamento | IL | 1500 | mA | VD = 24 V; RL= 12 ohms | ||
| Corrente de manutenção | IA | 500 | mA | VD = 24 V; I = 2,5 A | ||
| Tensão de pico em condução | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000A;Tvj= 125℃ | ||
| Tensão de limiar | VAté | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Inclinação resistência | rT | 1.01 | mΩ | Tvj= 125℃ | ||
| Taxa crítica taxa de subida de em conduçãotado corrente do coletor (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Comutação da VDRM < 1500 V, | ||
| não repetitivo | ||||||
| Taxa crítica taxa de subida de em conduçãotado corrente do coletor (6) | di/dt | - | A/μs | Comutação da VDRM < 3500 V |
Disparo
Parâmetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condições |
Dissipação máxima de potência no gate | PGM |
| 50 |
| W | tp = 40 us |
Potência média no gate total de potência | PG(AV) |
| 10 |
| W |
|
Corrente de pico do gate | IGM |
| 10 |
| A |
|
Corrente de gate necessária para disparar todas as unidades | IGT |
| 400 |
| mA mA mA | VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Tensão de gate necessária para disparar todas as unidades |
VGT |
| - 2.6 - |
| V V V | VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = VDRM nominal; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Tensão negativa de pico | VGRM |
| 10 |
| V |
Dinâmico
Parâmetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condições |
Tempo de atraso | td |
|
- |
|
μs | ITM = 1000 A; VD = VDRM nominal Pulso de gate: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs |
Tempo de desligamento (com VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
μs | ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; dV/dt reaplicado = 20 V/μs linear até 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Ciclo de trabalho > 0,01% |
Carga de recuperação reversa | Qrr |
| - |
| μAs | ITM = 2000 A; di/dt = 1,5 A/μs; VR > 200V |
Esquema da embalagem e dimensões.
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