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YZPST-KP1000A6500V
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
ALTO PODER TIRISTOR PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE
Características:
. Toda Estrutura Difundida
. Configuração de Porta de Amplificação Central
. Tempo Máximo de Desligamento Garantido
. Capacidade de Alto dV/dt
. Dispositivo Montado sob Pressão
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
ALTO PODER TIRISTOR PARA FASE CONTROLE APLICAÇÕES
Características:
. Todos Estrutura Difundida re
. Centro Ampliando Ga Configuração de Te
. Garantido Tempo Máximo de Desligamento
. Alto dV/dt Capacidade
. Montado sob Pressão Devi ce
Bloqueio - Estado desligado
|
VRRM ( 1) |
V DRM ( 1) |
VRSM ( 1) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = Tensão de pico reversa repetitiva
VDRM = Tensão de pico repetitiva no estado desligado
VRSM = Tensão de pico reversa não repetitiva (2)
Notas:
Todas as classificações são especificadas para Tj=25 oC a menos que
seja indicado de outra forma.
(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda senoidal aplicada de 50Hz/60zHz sobre o
intervalo de temperatura -40 a +125 oC.
(2) largura de pulso máxima de 10 msec.
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial até 80% da VDRM nominal. Porta aberta.
Tj = 125 oC.
Tj = 125 oC.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di/dt é estabelecido em
de acordo com o Padrão EIA/NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria adicional ao obtido a partir de um circuito de amortecimento, composto por um capacitor de 0,2 µF e uma resistência de 20 ohms em paralelo com o tiristor
teste.
|
Corrente repetitiva de pico reverso e estado de desligamento |
IRRM / IDRM |
40 mA 200mA (3) |
|
Taxa crítica de aumento de tensão |
dV/dt (4) |
1000 V/μs |
Conduzindo - no estado
| Parâmetro | Símbolo | Mín . | Máx . | Tip . | Unidades | Condições |
| Valor médio máximo do estado ligado atual | I T ( AV ) | 1000 | A | Sinewave , 180 o condução T C =70 o C | ||
| Valor eficaz do estado ligado atual | I TRMS | 1650 | A | Valor nominal | ||
| Pico um sobretensão cpstcle | I TSM | 18 | kA | 10.0 msec (50 Hz ), sinusoidal wave - shape , 180 o condução , T j = 125 o C | ||
| (não repetitivo) atual | ||||||
| I quadrado t | I 2 t | 1620 | kA 2 s | |||
| Corrente de retenção | I L | 1500 | mA | V D = 24 V; R L = 12 ohms | ||
| Corrente de retenção | I H | 500 | mA | V D = 24 V; I = 2.5 A | ||
| Pico de tensão no estado ligado | V TM | 2.65 | V | I TM = 1000A; T vj = 125 ℃ | ||
| Tensão de limiar | V Para | 1.24 | V | T vj = 125 ℃ | ||
| Inclinação resistência | r T | 1.01 | m Ω | T vj = 125 ℃ | ||
| Crítico taxa de subida de em-s estado atual (5, 6) | di / dt | 500 | A/ 3bcs | Switching de V DRM < 1500 V, | ||
| não repetitivo | ||||||
| Crítico taxa de subida de em-s estado atual (6) | di / dt | - | A/ 3bcs | Switching de V DRM < 3500 V |
Gating
|
Parâmetro |
Símbolo |
Mín . |
Máx . |
Tip . |
Unidades |
Condições |
|
Potência de pico do portão |
PGM |
|
50 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Potência média do portão dissipação |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Corrente de porta máxima |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Corrente de porta necessária para disparar todas as unidades |
IGT |
|
400 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = +25 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = +125oC |
|
Tensão de porta necessária para disparar todas as unidades |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Pico tensão negativa |
VGRM |
|
10 |
|
V |
Dinâmico
|
Parâmetro |
Símbolo |
Mín . |
Máx . |
Tip . |
Unidades |
Condições |
|
Tempo de atraso |
td |
|
- |
|
μs |
ITM = 1000 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.01 μs; tp = 20 μs |
|
Turn-off time with VR = -50 V |
tq |
|
700 |
|
μs |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
Carga de recuperação reversa |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
ESBOÇO DO INVÓLUCRO E DIMENSÕES.
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