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YZPST-MUR860G
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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RETIFICADOR DE RECUPERAÇÃO SUPER-RÁPIDA
MUR805G a MUR860G
TENSÃO - 50 A 600 VOLTS CORRENTE 8 AMPERES
CARACTERÍSTICAS
Baixa queda de tensão direta
Alta capacidade de corrente
Alta confiabilidade
Alta capacidade de corrente de surto
Ideal para aplicações em modo de comutação
Soldagem em alta temperatura: 260 °C/10 segundos nos terminais
Produtos livres de Pb disponíveis: com 99% de Sn atendem aos requisitos da diretiva RoHS sobre substâncias ambientais
DADOS MECÂNICOS
Encapsulamento TO220AC em plástico moldado
Epóxi: retardante de chama classe UL 94V-0; terminal: soldável conforme
MIL-STD-202, Método 208 garantido
Polaridade: conforme marcado
Posição de montagem: qualquer; peso: 2,24 g
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Valores nominais a 25 °C de temperatura ambiente, salvo indicação em contrário
Monofásico, meia onda, 60 Hz, carga resistiva ou indutiva
Para carga capacitiva, reduza a corrente em 20%
PARÂMETRO | MUR 805G | MUR 810G | MUR 815G | MUR 820G | MUR 830G | MUR 840G | MUR 860G | UNIDADES | |
Máximo Repetitivo Pico Tensão reversa | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | Volts | |
Máximo Tensão RMS | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 320 | 420 | Volts | |
Máximo CC Tensão de bloqueio | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | Volts | |
Máximo médio Direto Retificado Corrente .375 (9,5 mm) Comprimento do terminal Comprimento a TC 1000C | 8 | A | |||||||
Pico Direto Surto Corrente 8,3 ms Único Meia Onda senoidal Superposto on Nominal Carga (Método JEDEC) | 125 | A | |||||||
Máximo Instantâneo Tensão direta em 8,0 A | 0.95 | 1.25 | 1.65 | Volts | |||||
Máximo CC Reverso Corrente TA =250C em Nominal CC Tensão de bloqueio TA 1000C | 10 250 |
| uA | ||||||
Capacitância típica da junção Capacitância (Semob 1) | 62 | pF | |||||||
Máximo Reverso Tempo de recuperaçãoe (Nota 2) | 35 | 35 | nS | ||||||
Térmica típica Resistência Nota R JC | 3.0 | 0°C/W | |||||||
Operação e Temperatura de armazenagematura Faixa TJ | -55 a +150 | ℃ | |||||||
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
