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YZPST-BTA208X-600E
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Série BTA208 de triacs de 8 A
YZPST-BTA208X-600E
DESCRIÇÃO:
Com alta capacidade de suportar o impacto de grandes
correntes, os triacs da série BTA208 oferecem alta taxa dv/dt
com forte resistência à interferência eletromagnética.
Com alto desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes
são especialmente recomendados para uso em cargas indutivas.
Dos três terminais ao dissipador externo,
o BTA208 oferece tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS
conforme as normas UL (ref. do arquivo: E516503).
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 8 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
ABSOLUTOS MÁXIMOS CLASSIFICAÇÕES:
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
ITSM | Pico de corrente de surto não repetitivo em condução Corrente (tp=10 ms) | 80 | A |
I²t | (tp=10 ms) | 32 | A²s |
dI/dt | IG=2IGT，tr≤100 ns, Tj=125℃ | 50 | A/ μs |
IGM | Corrente de gate de pico (tp=20 µs) | 2 | A |
PG(AV) | Potência média do gate | 1=0,5 | W |
Tstg Tj | Temperatura de armazenamento Temperatura de junção em operação | -40--+125 -40--+125 | ℃ |
Viso | CA RMS aplicada por 1 minuto entre o terminal e a carcaça |
1800 |
V |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 32 | A2s |
Taxa crítica de aumento da corrente no estado ligado (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Corrente de pico do gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
| Parâmetro | Valor | |||||||
| Condição de teste | Quadrante | TW | SW | CW | BW | Unidade | ||
| IGT | VD=12 V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IA | IT100mA | MAX | 10 | 20 | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 25 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 35 | 70 | 90 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 200 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
| Ⅱ |
| 70 | 90 |
| |
dV/dt | VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate aberto |
MÍN |
200 |
500 |
V/ µs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
| VTM | ITM=11 A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 5 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 1 | mA |
EMBALAGEM DADOS MECÂNICOS
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
