IMAGEM DO PRODUTO01 / GALERIA
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-BTA316-800C
✓Informações técnicas do produto✓Suporte à seleção com foco na aplicação✓Catálogo e consulta com base na necessidade
E-mailinfo@yzpst.net
Telefone+86 138 0527 8321
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
CENTRO DE DOCUMENTOS
Downloads e arquivos técnicos
YZPST-BTA316-800B
Novo produto: triac BTA316-800B de 16 A TO-220F
Encapsulamento
TO-220F
Principais características (Tj=25℃)
| Símbolo | Valor | Unidade |
| IT(RMS) | 16 | A |
| VDRM / VRRM | ≥800 | V |
| ITSM | 160 | A |
Absoluto classificações (Limite Valores)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
| IT (RMS) | Corrente eficaz em condução total (senoide completae ) | 16 | A | |
| Pico de corrente em estado ligado não repetitivo | ||||
| ITSM | Corrente (Tj=25℃,tp=20ms) | 160 | A | |
| I2t | I2t para fusão (tp=10ms) | 140 | A2S | |
| IGM | Pico da gate corrente do coletor | 4 | A | |
| VGM | Tensão de pico do gate | 16 | V | |
| PGM | Potência de pico de gate | 40 | W | |
| PG(AV) | Potência média do gate | 1 | W | |
| dIT/dt | Taxa repetitiva de subida da corrente em condução após o disparo | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 50 | |
| (IT=6A, IG =0,2A, dlG/dt=0,2A/us) | Ⅳ | 50 | A/μs | |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | 110 | ℃ | |
| Tj | Operação junção temperatura | 85 | ||
Resistências térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Condição | Tipo | Unidade | |
| Rth j-c | Resistência térmica, junção paracase | Um ciclo | 220F | 1.2 | ℃/W |
| Rth j-a | Resistência térmica, junção para ambienteambiente | —— | —— | 60 | ℃/W |
Características elétricas Características (Tj=25℃ salvo indicação especificado)
| Símbolo | Condições de teste | Tipo | Máx. | Unidade | |
| BTA316-800 | C | B | |||
| VD=12V IT=0.1A | |||||
| T2+ G+ | 11 | 16 | 25 | mA | |
| IGT | T2+ G- | 12 | 20 | 30 | mA |
| T2- G- | 18 | 25 | 50 | mA | |
| T2- G+ | mA | ||||
| IA | VD=12VIGT=0.1A | 25 | 50 | mA | |
| VTM | IT=20A | — 1.3— | 1.7 | V | |
| IDRM | VDRM=520V | 10 | μA | ||
| IRRM | VRRM=520V | 15 | μA | ||
| VD=12V IT=0.1A | |||||
| VGT | Tj=125℃ | —— | 1.65 | V | |
| VD=VDRM（MAX） | |||||
| ID | Tj=125℃ | —— | 0.5 | mA | |
Medida de encapsulamentoTO-263：
Nenhum conteúdo adicional do produto está disponível.
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
Siga a YZPST
