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YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Schottky de SiC Diodo
Características
Tensão de recuperação direta zero
Corrente de recuperação reversa zero
Excelente capacidade de corrente de surto
Comutação independente da temperatura
Coeficiente de temperatura positivo em VF
Operação em alta frequência
Benefícios
Maior densidade de potência
Praticamente sem perdas de comutação
Redução das necessidades de dissipador de calor
Maior eficiência
EMI reduzida
Aplicações
Fontes de alimentação ininterrupta
Fontes de alimentação comutadas
Correção do fator de potência
Drivers de motor
Classificações máximas (Tj=25℃, salvo indicação em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Valor | Unidade |
VRRM | Pico repetitivo tensão reversa |
| 1200 | V |
VRSM | Surto tensão de pico reversa |
| 1200 | V |
IF | corrente direta contínua | TC=25°C TC=155°C | 35*/70** 10*/20** | A |
IFSM | corrente de surto direta não repetitivacorrente de surto | TC=25°C , tp=10ms, Meia onda senoidalve | 105* | A |
IFRM | Repetitivo Pico Surto direto Corrente | TC=25°C , tp=10ms, Meia onda senoidal | 60* | A |
∫i2dt | i2t valor | TC=25°C , tp=10ms | 55.1* | A2S |
Ptot | Dissipação de potência | TC=25°C TC=110°C | 197* 85* | W |
Tj | Temperatura de junção de operaçãoratura |
| -55~175 | °C |
Tstg | Temperatura de armazenamento |
| -55~175 | °C |
Contornos da encapsulação
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
