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Módulo IGBT YZPST-GD450HFX170C6S
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Módulo IGBT
YZPST-450HFX170C6S
1700V/450A, 2 em um único encapsulamento
Descrição geral
O módulo de potência IGBT oferece baixíssima
baixa perda de condução e alta robustez em curto-circuito.
Eles foram projetados para aplicações como
inversores gerais e UPS.
Características
tecnologia IGBT trench de baixo VCE(sat)
capacidade de curto-circuito de 10 μs
VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
temperatura máxima de junção 175oC
invólucro de baixa indutância
FWD antiparalelo com recuperação reversa rápida e suave
Base de cobre isolada com tecnologia DBC
Típico Aplicações
Inversor para acionamento de motor
Amplificador de acionamento servo AC e DC
Fonte de alimentação ininterrupta
IGBT
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
VCES | Tensão coletor-emissor | 1700 | V |
VGES | Tensão gate-emissor | ±20 | V |
IC | Corrente de coletor @ TC=25oC @ TC=100oC | 706 450 | A |
ICM | Corrente de coletor pulsada tp=1ms | 900 | A |
PD | Dissipação máxima de potência @ T=175oC | 2542 | W |
Diodo
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
VRRM | Tensão reversa de pico repetitiva | 1700 | V |
IF | Corrente contínua direta do diodo | 450 | A |
IFM | Corrente máxima direta do diodo tp=1 ms | 900 | A |
Módulo
Símbolo | Descrição | Valor | Unidade |
Tjmax | Temperatura máxima da junção | 175 | oC |
Tjop | Temperatura de junção de operação | -40 a +150 | oC |
TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +125 | oC |
VISO | Tensão de isolamento RMS, f=50Hz, t=1min | 4000 | V |
IGBT Características TC=25oC, salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| IC=450A,VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Coletor para emissor | IC=450A,VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tensão de saturação | IC=450A,VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Limiar porta-emissor Tensão | IC= 18,0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Coletor Corte-Desligado | VCE=VCES,VGE=0V, | 5 | mA | ||
| Corrente | Tj=25oC | |||||
| IGES | Corrente de fuga gate-emissor Corrente | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Resistência interna de gateance | 1.67 | Ω | |||
| Cies | Capacitância de entrada | VCE=25V, f=1MHz, | 54.2 | nF | ||
| Cres | Transferência reversa | VGE=0V | 1.32 | nF | ||
| Capacitância | ||||||
| QG | Carga de gate | VGE=- 15…+15V | 4.24 | μC | ||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 179 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 105 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=450A, RG=3,3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC | 680 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 375 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 116 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 113 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 208 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 120 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=450A, RG=3,3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC | 784 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 613 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 152 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 171 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligação | 208 | ns | |||
| tr | Tempo de subida | 120 | ns | |||
| td(desligado) | Desligamento Tempo de atraso | VCC=900V, IC=450A, RG=3,3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC | 800 | ns | ||
| tf | Tempo de descida | 720 | ns | |||
| Eon | Ligação Comutação | 167 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| Edesligado | Comutação de desligamento | 179 | mJ | |||
| Perda | ||||||
| tP≤10μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Dados de SC | Tj=150oC, VCC= 1000V, VCEM≤1700V | 1800 | A |
Diodo Características TC=25oC, salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| Direta do diodo | IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC | 1.8 | 2.25 | |||
| VF | Tensão | IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC | 1.95 | V | ||
| IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC | 1.9 | |||||
| Qr | Carga recuperada | VR=900V, IF=450A, | 105 | μC | ||
| IRM | Pico reverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj=25oC | 198 | A | ||
| Corrente de recuperação | ||||||
| Erec | Recuperação reversaEnergia | 69 | mJ | |||
| Qr | Carga recuperada | VR=900V, IF=450A, | 187 | μC | ||
| IRM | Pico reverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 125oC | 578 | A | ||
| Corrente de recuperação | ||||||
| Erec | Recuperação reversaEnergia | 129 | mJ | |||
| Qr | Carga recuperada | VR=900V, IF=450A, | 209 | μC | ||
| IRM | Pico reverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 150oC | 585 | A | ||
| Corrente de recuperação | ||||||
| Erec | Recuperação reversaEnergia | 150 | mJ |
Dimensões da embalagem
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
