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YZPST-M1A045170L
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-M1A045170L
MOSFET de potência de carboneto de silício
(Modo de enriquecimento de canal N)
Características
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Fácil de ligar em paralelo e simples de acionar
Resistente ao latch-up
Sem halogénios, em conformidade com RoHS
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Menores requisitos de refrigeração
Maior densidade de potência
Maior frequência de comutação do sistema
Aplicações
Inversores solares
Fontes de alimentação comutadas
Conversores CC/CC de alta tensão
Acionamento de motores
Parte Número | Encapsulamento | Marcação |
M1A045170L | TO-247-4L | M1A045170L |
Máximo Máximos (Tc = 25°C salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VDSmáx | Tensão dreno-fonte | 1700 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
| VGSmáx | Tensão gate-fonte | -0.4 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Tensão gate-fonte | -0.25 | V | Valores operacionais recomendados | |
| ID | Corrente contínua de dreno | 85 | A | VGS = 20 V, TC = 25°C | |
| 55 | VGS = 20 V, TC = 100°C | ||||
| ID (pulso) | Corrente pulsada de dreno | 160 | A | Largura de pulso tP limitada por Tjmax | |
| PD | Dissipação de potência | 520 | W | TC =25°C, TJ =150°C | |
| TJ, Tstg | Temperatura de junção em operação e de armazenamento | -55 a 175 | ℃ | ||
| TL | Temperatura de soldagem | 260 | ℃ | 1,6 mm (0,063”) a partir da carcaça por 10 s | |
| Md | Torque de montagem | 1 | Nn | parafuso M3 ou 6-32 | |
| 8.8 | lbf-in |
Características elétricass(Tc = 25°C salvo indicação em contrário especificado)
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota | |
| V(BR)DSS | Dreno Fonte-dreno | 1700 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |||
| Tensão de ruptura | ||||||||
| 2 | 2.6 | 4 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA | ||||
| VGS(th) | Tensão limiar de gate | 1.9 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA, TJ =150°C | ||||
| IDSS | Corrente de dreno com tensão zero no gate | 2 | 100 | μA | VDS = 1700 V, VGS = 0 V | |||
| IGSS | Corrente de fuga gate-fonte | 2 | uA | VGS = 20 V, VDS = 0 V | ||||
| Corrente | ||||||||
| Dreno-fonte | 34 | 60 | mΩ | VGS = 20 V, ID = 50 A | ||||
| RDSON | Resistência em condução | 66 | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ =150°C | |||||
| gfs | Transcondutância | 16 | VGS = 20 V, ID = 50 A | |||||
| 19 | S | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ =150°C | ||||||
| C | Capacitância de entrada | 4078 | ||||||
| oss | Capacitância de saída | 167 | ||||||
| rss | Capacitância reversa | 39 | pF | VDS = 1000 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz | ||||
| Eoss | Energia armazenada em Coss | 203 | μJ | |||||
| Eon | Energia de comutação na ligação | 1.9 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A, Rg(ext) = 2,5 Ω, | |||||
| Eoff | Energia de comutação no desligamento | 0.3 | mJ | TJ = 150°C | ||||
| tdon | Tempo de atraso na ligação | 21 | ||||||
| tr | Tempo de subida | 46 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A, Rg(ext) = 2,5 Ω | |||||
| tdoff | Tempo de atraso no desligamento | 50 | ||||||
| tf | Tempo de queda | 19 | ns | |||||
| Rgint | Resistência interna do gate | 2.6 | VAC = 25 mV, f = 1 MHz | |||||
| Qgs | Carga gate-fonte | 44 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A | |||||
| Qgd | Carga gate-dreno | 84 | ||||||
| Qg | Carga total de gate | 248 | nC |
Características elétricass (Tc = 25°C, salvo indicação especificado)
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VSD | Diodo Tensão direta | 6.1 | - | V | VGS = -5 V, ISD = 25 A | ||
| 5.2 | VGS = -5 V, ISD = 25 A,TJ =150°C | ||||||
| I | Contínua Diodo Avanreta Corrente | 75 | A | VGS = -5 V,Tc=25°C | |||
| S | |||||||
| trr | Reverso Tempo de recuperação | 126 | ns | VR= 1200 V, VGS = -5 V, ID = 50A, di/dt = 1400 A/μS,, TJ=150°C | |||
| Qrr | Reverso Carga de recuperação | 1360 | nC | ||||
| Irrm | Pico Reverso Recuperação Corrente | 19 | A |
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
