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YZPST-M1A080120L1
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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MOSFET de potência SiC de canal N
P/N: YZPST-M1A080120L1
Características
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
Fácil de ligar em paralelo e simples de acionar
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Menores requisitos de refrigeração
Maior densidade de potência
Maior frequência de comutação do sistema
Aplicações
Fontes de alimentação
Conversores CC/CC de alta tensão
Acionamentos de motor
Fontes de alimentação comutadas
Aplicações de potência pulsada
Parte Número | Encapsulamento |
M1A080120 L1 | TO-247-4 |
Máximo Máximos (TC=25℃ usalvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VDSmáx | Tensão dreno-fonte | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmax | Tensão gate-fonte | -0.4 | V | Absoluto valores máximos | |
| VGSop | Tensão gate-fonte | -0.25 | V | Operação recomendadavalores | |
| ID | Contínua Corrente de dreno | 36 | A | VGS=20V,Tc=25℃ | |
| 24 | VGS=20V,Tc100℃ | ||||
| ID(pulso) | Em pulsos Corrente de dreno | 80 | A | Largura de pulso tp limited por TJmáx | |
| PD | Potência Dissipação | 192 | W | Tc=25℃, TJ=150℃ | |
| TJ, TSTG | Temperatura da junção e de armazenamento em operação | -55 a +150 | ℃ |
Características elétricas (TC=25℃ salvosalvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Mín.. | Típ.. | Máx.. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| V(BR)DSS | Dreno-fonte Quebradotensão de ruptura | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensão de limiar do gatege | 2 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS, ID5mA | Fig. 11 |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID5mA, TJ=150℃ | ||||
| IDSS | Corrente de dreno com tensão de gate zero Corrente de dreno | / | 1 | 100 | µA | VDS1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Porta-Fonte Corrente de fuga | / | 10 | 250 | nA | VDS0V, VGS25V | |
| IGSS- | Porta-Fonte Corrente de fuga | / | 10 | 250 | nA | VDS0V, VGS-10V | |
| RDS(on) | Estado de condução dreno-fonte Resistância | / | 80 | 98 | mΩ | VGS20V, ID=20A | Fig. |
| / | 140 | / | VGS20V, ID20A, TJ=150℃ | 4,5,6 | |||
| Ciss | Capacitância de entrada | / | 1475 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | Capacitância de saída | / | 94 | / | pF | VDS1000V | 15,16 |
| Crss | Capacitância de transferência reversaacitana | / | 11 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss Armazenada Energia | / | 52 | / | µJ | VCA=25mV | |
| ELIGADO | Comutação de acionamento Energia | / | 564 | / | µJ | VDS800V, VGS-5V/20V | |
| EDESLIGADO | Comutação de desligamento Energia | / | 260 | / | ID20A, RG(ext)2,5Ω, L=200μH | ||
| td(on) | Ligação Tempo de atraso | / | 9.3 | / | |||
| tr | Tempo de subida | / | 9.5 | / | VDS800V, VGS-5V/20V, ID=20A RG(ext)2,5Ω, RL40Ω | ||
| td(off) | Desligamento Tempo de atraso | / | 18 | / | ns | ||
| tf | Tempo de descida | / | 7.6 | / | |||
| RG(int) | Gate interno Resistência | / | 3.1 | / | Ω | f=1MHz, VCA=25mV | |
| QGS | Gate para Source Carga | / | 24 | / | VDS800V | ||
| QGD | Gate para Carga de dreno | / | 15 | / | nC | VGS-5V/20V | |
| QG | Carga total de gate Carga | / | 79 | / | ID=20A |
Reverso Características do diodocaracterísticas
| Símbolo | Parâmetro | Típ.. | Máx.. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VSD | Diodo Tensão direta | 3.6 | / | V | VGS-5V, ISD10A | Fig. 8,9,10 |
| 3.3 | / | VGS-5V, ISD10A, TJ=150℃ | ||||
| IS | Contínua Diodo Corrente direta | / | 44 | A | TC=25℃ | |
| trr | Reverso Tempo de recuperação | 35 | / | ns | ||
| Qrr | Reverso Carga de recuperação | 91 | / | nC | VR800V, ISD=20A | |
| Irrm | Pico Reverso Corrente de recuperação | 4.5 | / | A |
Encapsulamento Dimensões
Encapsulamento TO-247-4
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
